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    珠海光伏并網(wǎng)-盈科智網(wǎng)-質優(yōu)價廉-聲名遠揚

  • 作者:佛山盈科智網(wǎng)新能源技術有限公司 2018-11-30 11:08 250
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    SiCBJT運用在光伏電源轉換器中時,可實現(xiàn)良好效率,并且(也許更重要的是)能夠使用更小、更便宜的元件,從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。

    在過去30多年中,諸如MOSFET和IGBT之類的CMOS替代產(chǎn)品在大多數(shù)電源設計中逐漸取代基于硅的BJT,但是今天,基于碳化硅的新技術為BJT賦予了新的意義,特別是在高壓應用中。

    碳化硅布局以同等或更低的損耗實現(xiàn)更高的開關頻率,并且在相同形狀因數(shù)的情況下可產(chǎn)生更高的輸出功率。運用了SiCBJT的設計也將使用一個更小的電感,并且使成本顯著降低

    。雖然運用碳化硅工藝生產(chǎn)的BJT相較于僅基于硅的BJT會更昂貴,但是使用SiC技術的優(yōu)勢在于可在其它方面節(jié)省設計成本,從而實現(xiàn)更低的整體成本。本文介紹的升壓轉換器設計用于光伏轉換階段,其充分利用SiCBJT的優(yōu)勢,在顯著降低系統(tǒng)成本的同時可實現(xiàn)良好的效率。


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