全國同行大量高價收購IC小方片、藍膜片邊角料、帶白膜IC方片、半導(dǎo)體硅片、
藍膜晶粒、電路片、光刻片、晶圓鏡片晶圓廢料、原廠一手藍膜、ic Grade wafer。
一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去;用超純水沖洗后,三星晶圓,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,INTEL晶圓,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的絡(luò)合作用,許多金屬離子形成穩(wěn)定的可溶性絡(luò)合物而溶于水;然后使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液,由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解,以及氯離子的絡(luò)合性,許多金屬生成溶于水的絡(luò)離子,晶圓,從而達到清洗的目的。
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化學(xué)清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗(硫酸、、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。其中雙體系清洗方法效果好,環(huán)境污染小。
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現(xiàn)代線鋸的核心是在研磨漿配合下用于完成切割動作的超細高強度切割線。最多可達1000條切割線相互平行的纏繞在導(dǎo)線輪上形成一個水平的切割線“網(wǎng)“。
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