99.999%三硒化二銦（In2Se3）粉末



1，技術對接：提純單質(zhì)銦，硒（所用的工藝有：陽極泥富集，電解，萃取，反萃取，真空蒸餾，氫化脫氧，區(qū)域熔煉。。。）- 真空熔煉合成2元合金。



2，檢驗：ICP-MS；XRD;激光粒度分析儀。



3，服務：提供實用的防護措施，提供材料應用解決方案。



（特別是濺射，印刷工藝制備銅銦鎵硒CIGS薄膜）。



4，物理性質(zhì)：



變形的NaCl結(jié)構(gòu)，黑色，暗淡油脂光澤，易碎。



熔點：660 ℃



密度：5.55 g/cm3



5，規(guī)格：



化學純度：



高純?nèi)煟篒nSe-05 純度99.999%以上，銀，鋁，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鋁雜質(zhì)總含量小于10ppm。



6，物理性狀：質(zhì)軟黑色塊或粉。



7，用途：



主要用作半導體，光導材料，光，電傳感器件。

8，包裝：聚乙烯瓶封裝。

公司12年來共研制開發(fā)出40余項半導體化合物材料：
碲系化合物：
碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)，碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)...
硫系化合物：
三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3)，硫化亞銅（Cu2S）...
無氧硒及硒系化合物:
三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3)...
氯系化合物：
無水三氯化銦(InCl3)，無水三氯化鎵(GaCl3)，無水氯化亞銦(InCl)...
氧系化合物：
4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3)，4N-5N氧化鋅(ZnO)，5N-6N 三氧化二銦(In2O3)，5N 三氧化二鉍(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二銻（Sb2O3）...
銅銦鎵硒（CIGS）系列材料.
靶材：氧化鋅靶，氧化鋅鋁靶，銅銦鎵硒靶，三硒化二銦靶，硒化亞銅靶材...
公司現(xiàn)有工藝及設備：
1，電解裝置4套：回收電解銅，電解鉛鋅礦的陽極泥；高純銦的電解，特別是除去里面的雜質(zhì)錫。
2，真空蒸餾裝置12套：根據(jù)雜質(zhì)不同的飽和蒸氣壓，采用真空蒸餾的方法將其去除。
3，區(qū)域熔煉爐10套。
4，單間提拉爐12套。
5，CVD 化學氣相沉積設備3套。
6，PVD裝置2套。
7，真空熔煉爐15套。
8，THM 移動式加熱設備。
9，氯化爐3套（高純銻專用），氫化還原爐3套。
公司現(xiàn)有的檢測設備：
1，ICP-MS;ICP-OES (適用范圍：檢測<99.999% 純度的產(chǎn)品）
2，XRD （化合物的相結(jié)構(gòu)分析）
3，激光粒度分析儀（粉末粒徑）
4，對于99.9999%以上的產(chǎn)品，提供GDMS 外檢指標（送EAG外檢）
研發(fā)、生產(chǎn)、銷售：半導體材料、光電材料，貨物技術的進出口業(yè)務