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    NVIDIA在GTX 1080顯卡上使用了美光GDDR5X顯存，頻率高達(dá)10GHz，位寬不變的情況下帶寬也大幅提升。由于成本問題，在GTX 1070顯卡上使用的還是GDDR5顯存，頻率也提升到了8GHz。首發(fā)評(píng)測中GTX 1070顯卡用的都是三星GDDR5顆粒，后續(xù)產(chǎn)品也有使用美光顯存，不過美光顯存上來就給玩家惹了麻煩，超頻時(shí)容易導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)崩潰，現(xiàn)在NVIDIA已經(jīng)推出了新版BIOS，解決了這個(gè)問題。
    SK Hynix發(fā)布企業(yè)級(jí)SSD新品：采用72層閃存顆粒 最高容量4TB
    2018年02月06日 08:48 1353 次閱讀 稿源： 1 條評(píng)論
    硬件
    2012 年開始銷售固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器的 SK Hynix，剛剛發(fā)布了最新的企業(yè)級(jí) SSD 新品。其基于自家 72 層 64GB NAND 閃存顆粒，最高容量達(dá)到了 4TB 。當(dāng)然，這并不是我們首次見到采用這些閃存芯片的 SSD，此前該公司已推出過面向客戶機(jī)的版本。從官方公布的圖片來看，SK Hynix 提供了 2.5" SATA 和未指明的 NVMe M.2 的封裝樣式，但也不排除 PCIe 插卡或 U.2 版本。
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    性能方面，該公司披露 1TB SATA SSD 的持續(xù)讀寫可以分別達(dá)到 560MB/s 和 515MB/s，隨機(jī)讀寫性能則是 98k 和 32k IOPS 。
    相比之下，PCIe 版本的持續(xù)讀寫可以飆到 2700MB/s 和 1100MB/s，隨機(jī)讀寫亦有 230k 和 35k IOPS 。作為一款所謂的“企業(yè)級(jí) SSD”，人們或許對(duì)其較差的寫入性能感到有些奇怪。
    鑒于數(shù)據(jù)中心的工作負(fù)荷偏向于讀取方面，其實(shí)還是可以理解的，只是不清楚它們的寫入耐久度如何，SK Hynix 也尚未披露其它容量版本的性能數(shù)據(jù)。
    據(jù)悉，2.5" SATA SSD 新品的最高容量為 4TB，而 NVMe SSD 版本的最高容量為 1TB 。當(dāng)前該公司已向美國的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心客戶提供樣品，預(yù)計(jì)上市時(shí)間為今年晚些時(shí)候。
    英偉達(dá)下一代產(chǎn)品將搭載：SK Hynix 海力士 GDDR6 顯存顆粒


    愛果轉(zhuǎn)
    百家號(hào)01-2400:13
    緊跟SAMSUNG（三星）腳步，在三星宣布GDRR6正式投入量產(chǎn)后，現(xiàn)在SK hynix（海力士）也開始行動(dòng)，官方宣布已開始向OEM廠商供貨，相比三星的量產(chǎn)階段，海力士這次是趕在了三星之前，據(jù)悉SK hynix GDRR6會(huì)率先出現(xiàn)在新一代英偉達(dá)Volta新架構(gòu)顯卡中。
    據(jù)了解，此次推出的顆粒共有四個(gè)版本，單顆容量均為8GB（256M×32），也就是1GB，工藝上采用108ball FCBGA封裝。編號(hào)“H56C8H24MJR-S2C”的有14Gbps、12Gbps兩種速率規(guī)格，電壓分別為1.35V、1.25V，編號(hào)“H56C8H24MJR-S0C”的則分為12Gbps、10Gbps，電壓同樣對(duì)應(yīng)1.35V、1.25V。對(duì)比上周公布的三星18GHz 16GB GDRR6顆粒，海力士GDRR6容量和頻率等規(guī)格均處于劣勢(shì)，具體性能差距不得而知，可能英偉達(dá)會(huì)針對(duì)不同定位產(chǎn)品采用不同類型方案，總之一切謎底將會(huì)在3月前后揭曉。
    據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，爾必達(dá)計(jì)劃投資30億元新臺(tái)幣（約9550萬美元）在臺(tái)灣投建研發(fā)中心。報(bào)道引自臺(tái)灣當(dāng)局官員的表述稱，爾必達(dá)已經(jīng)向他們提出了補(bǔ)貼申請(qǐng)，以幫助投建該研發(fā)中心。為了獲得臺(tái)灣合作伙伴在產(chǎn)能上的支持，爾必達(dá)已經(jīng)向力晶半導(dǎo)體、華邦、茂德授權(quán)了有關(guān)DRAM處理工藝。
    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶


    采用爾必達(dá)DDR3顆粒的記憶內(nèi)存


    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶


    采用爾必達(dá)DDR3顆粒的記憶內(nèi)存


    另據(jù)有消息稱，在爾必達(dá)顆粒制程調(diào)整后，66-62nm顆粒推出后首供記憶內(nèi)存使用。致力服務(wù)于國內(nèi)OEM電腦生產(chǎn)廠商內(nèi)存提供商的記憶內(nèi)存，其內(nèi)存專門供應(yīng)聯(lián)想、方正、長城、NEC、同方、實(shí)達(dá)、浪潮、海信、海爾、TCL等廠商。其精湛做工和穩(wěn)定的性能，長久以來博得了眾多電腦廠商的認(rèn)可。
    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶
    提升性能容量：鎂光發(fā)布單顆12-Gb的LPDDR4X移動(dòng)內(nèi)存顆粒
    隨著智能手機(jī)和平板電腦市場的日漸興盛，消費(fèi)者對(duì)于設(shè)備存儲(chǔ)容量和性能的需求也水漲船高。盡管容量不一定是衡量性能的唯一的標(biāo)準(zhǔn)，但在5G到來之后，應(yīng)用程序和網(wǎng)絡(luò)連接將對(duì)內(nèi)存子系統(tǒng)提出越來越高的要求。實(shí)際上，即便在當(dāng)下，成像子系統(tǒng)和人工智能等工作負(fù)載，也需要高性能存儲(chǔ)架構(gòu)的鼎力支持。有鑒于此，鎂光宣布了首款面向移動(dòng)設(shè)備的單片12Gb（1.5GB）LPDDR4X動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片。
    鎂光表示，為提升效率和降低能耗，該12-GbLPDDR4X內(nèi)存顆粒將采用10-nm工藝生產(chǎn)。
    與上一代產(chǎn)品相比，其速率可達(dá)4266Mb/s，功耗還降低了10%。此外，芯片密度允許手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)更高的總存儲(chǔ)容量。
    這款LPDDR4X內(nèi)存新品已經(jīng)上市，感興趣的移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)師可以與鎂光聯(lián)系采購。

    -/gjjebf/-

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