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    三星今天宣布生產16Gb GDDR6顯存顆粒
    三星于今日宣布已開始批量生產16Gb GDDR6顯存顆粒，該顆粒采用10nm工藝，比目前20nm工藝的8Gb GDDR5顆粒先進兩代，而數(shù)據傳輸速度也高達72Gbps/s，工作電壓僅為1.35v，因此無論是性能還是節(jié)能方面都領先于GDDR5。
    看來HBM2顯存在下一代顯卡上面依然不會普及，GDDR6將作為主力顯存應用于絕大部分顯卡。畢竟目前顯存性能或者說數(shù)據帶寬已經不是顯卡性能的瓶頸了，因此GDDR6還是很理想的。

    在閃存峰會上，三星介紹了新一代V-NAND技術的SSD產品，單晶粒達到1Tb，單芯片可封裝16Tb（2TB）。


    其實這就是三星的QLC閃存，比TLC的存儲密度更大，但相應的，壽命和讀寫要有犧牲。
    當然，三星追逐QLC無非也是市場的需要，他們去年在峰會上還提出了，TLC就是MLC的說法，大家也不用去考慮所謂“良心”了。
    不過，作為閃存和SSD一哥，三星的產品不僅有入門級，他們的970和980系列也要來了。


    據TOMH，就掌握的內部資料，三星將從970開始去掉evo/pro的后綴命名，此前，pro代表高端，采用MLC，evo稍微親民些采用TLC。
    而970/980系列則是清一色的3D TLC閃存，64層堆疊設計，支持NVMe，980就是現(xiàn)在的Pro，讀寫更快，顆粒品質更好一些。
    推出的時間方面，預計在2017年底到2019年初。
    去年的960 PRO憑借連續(xù)讀取3500 MB/s，寫入2100 MB/s成為最快的消費級SSD，換用TLC后，在自家Polaris主控的幫助下，980系列應該會持平甚至更進一步，但可靠性就大打折扣了。
    可以想見，三星自己的最高端消費級都放棄了MLC顆粒，今后這類產品在大眾市場出現(xiàn)的機率將越來越低，即使有，價格也會高得離譜。
    美光GDDR5顯存的GTX 1070早前被爆出有bug，容易引發(fā)驅動崩潰——具體來說就是，如果顯卡顯存在300mV低電壓下待機，然后你用軟件超頻顯存頻率+400到+500，美光顯存就會出問題，要么驅動崩潰，要么就是顯示BSOD信息。但如果你現(xiàn)在afterburner等軟件中鎖定電壓，顯存就可以正常超頻500、600MHz頻率。


    這個問題本月初就有用戶在NVIDIA網站討論了，現(xiàn)在的情況是NVIDIA已經解決問題了，需要升級顯卡BIOS，不過普通用戶還要等等顯卡廠商那邊放出最終BIOS。
    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨


    CNET中國·ZOL 作者：中關村在線 醉龍殤 【原創(chuàng)】 2006年10月05日 06:29 評論(8)


    創(chuàng)見作為全球知名內存企業(yè)，在高端產品研發(fā)方面擁有雄厚的實力。目前其已面向市場推出1GB DDR2-800內存，報價為1100元，采用鎂光顆粒，品質更有保障，有需要的高端用戶及發(fā)燒玩家不妨參考選購。


    接下來就讓我們共同看一下產品的外觀。



    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存正面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內存采用雙面16內存顆粒規(guī)格設計，整體做工嚴謹扎實，PCB采用短線程布線設計，簡潔明了，有效減少了信號的延遲及引線間的信號干擾，確保了數(shù)據傳輸?shù)陌踩浴？沼郟CB表面為大面積覆銅遮蓋，很好的保證了產品的電氣性能及抗電子干擾能力。優(yōu)選微型貼片電容和高品質8PIN電阻排裝貼整齊，焊點均勻飽滿，用料充足。左側粘貼了熒光粉防偽標簽，右側則粘貼了規(guī)格標簽。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存背面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內存背面采用效果最好的“B”類覆銅效果設計，進一步保證了產品的可靠性和穩(wěn)定性。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存規(guī)格標簽


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內存容量為1GB，工作頻率為DDR2-800（等效于PC2-6400），產品編號為145418-0012。工作電壓為1.8V，默認時序參數(shù)為5-5-5-12，針腳數(shù)為240PIN，采用DDR2-DIMM接口規(guī)范。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存顆粒特寫


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內存采用鎂光內存顆粒，采用FBGA封裝模式，使用最新的65納米制造工藝。編號為D9GKX，工作響應時間為2.9NS。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存PCB特寫


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    【圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內存金手指


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內存金手指采用技術較為成熟的化學鍍金制造工藝，PCB邊緣切割整齊。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    英偉達下一代產品將搭載：SK Hynix 海力士 GDDR6 顯存顆粒


    愛果轉
    百家號01-2400:13
    緊跟SAMSUNG（三星）腳步，在三星宣布GDRR6正式投入量產后，現(xiàn)在SK hynix（海力士）也開始行動，官方宣布已開始向OEM廠商供貨，相比三星的量產階段，海力士這次是趕在了三星之前，據悉SK hynix GDRR6會率先出現(xiàn)在新一代英偉達Volta新架構顯卡中。
    據了解，此次推出的顆粒共有四個版本，單顆容量均為8GB（256M×32），也就是1GB，工藝上采用108ball FCBGA封裝。編號“H56C8H24MJR-S2C”的有14Gbps、12Gbps兩種速率規(guī)格，電壓分別為1.35V、1.25V，編號“H56C8H24MJR-S0C”的則分為12Gbps、10Gbps，電壓同樣對應1.35V、1.25V。對比上周公布的三星18GHz 16GB GDRR6顆粒，海力士GDRR6容量和頻率等規(guī)格均處于劣勢，具體性能差距不得而知，可能英偉達會針對不同定位產品采用不同類型方案，總之一切謎底將會在3月前后揭曉。
    -/gjjebf/-

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