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Fe-RAM
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)是通過(guò)鐵元素的磁性進(jìn)行存儲(chǔ)，因此，鐵電存儲(chǔ)器無(wú)需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會(huì)非常樂(lè)觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。
MRAM
磁性存儲(chǔ)器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質(zhì)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
OUM
相變存儲(chǔ)器。
奧弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

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