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    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨


    CNET中國(guó)·ZOL 作者：中關(guān)村在線 醉龍殤 「原創(chuàng)】 2006年10月05日 06:29 評(píng)論(8)


    創(chuàng)見作為全球知名內(nèi)存企業(yè)，在高端產(chǎn)品研發(fā)方面擁有雄厚的實(shí)力。目前其已面向市場(chǎng)推出1GB DDR2-800內(nèi)存，報(bào)價(jià)為1100元，采用鎂光顆粒，品質(zhì)更有保障，有需要的高端用戶及發(fā)燒玩家不妨參考選購。


    接下來就讓我們共同看一下產(chǎn)品的外觀。



    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存正面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存采用雙面16內(nèi)存顆粒規(guī)格設(shè)計(jì)，整體做工嚴(yán)謹(jǐn)扎實(shí)，PCB采用短線程布線設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)潔明了，有效減少了信號(hào)的延遲及引線間的信號(hào)干擾，確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴？沼郟CB表面為大面積覆銅遮蓋，很好的保證了產(chǎn)品的電氣性能及抗電子干擾能力。優(yōu)選微型貼片電容和高品質(zhì)8PIN電阻排裝貼整齊，焊點(diǎn)均勻飽滿，用料充足。左側(cè)粘貼了熒光粉防偽標(biāo)簽，右側(cè)則粘貼了規(guī)格標(biāo)簽。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存背面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存背面采用效果最好的“B”類覆銅效果設(shè)計(jì)，進(jìn)一步保證了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存規(guī)格標(biāo)簽


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存容量為1GB，工作頻率為DDR2-800（等效于PC2-6400），產(chǎn)品編號(hào)為145418-0012。工作電壓為1.8V，默認(rèn)時(shí)序參數(shù)為5-5-5-12，針腳數(shù)為240PIN，采用DDR2-DIMM接口規(guī)范。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存顆粒特寫


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存采用鎂光內(nèi)存顆粒，采用FBGA封裝模式，使用最新的65納米制造工藝。編號(hào)為D9GKX，工作響應(yīng)時(shí)間為2.9NS。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存PCB特寫


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存金手指


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存金手指采用技術(shù)較為成熟的化學(xué)鍍金制造工藝，PCB邊緣切割整齊。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨

    據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，爾必達(dá)計(jì)劃投資30億元新臺(tái)幣（約9550萬美元）在臺(tái)灣投建研發(fā)中心。報(bào)道引自臺(tái)灣當(dāng)局官員的表述稱，爾必達(dá)已經(jīng)向他們提出了補(bǔ)貼申請(qǐng)，以幫助投建該研發(fā)中心。為了獲得臺(tái)灣合作伙伴在產(chǎn)能上的支持，爾必達(dá)已經(jīng)向力晶半導(dǎo)體、華邦、茂德授權(quán)了有關(guān)DRAM處理工藝。
    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶


    采用爾必達(dá)DDR3顆粒的記憶內(nèi)存


    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶


    采用爾必達(dá)DDR3顆粒的記憶內(nèi)存


    另據(jù)有消息稱，在爾必達(dá)顆粒制程調(diào)整后，66-62nm顆粒推出后首供記憶內(nèi)存使用。致力服務(wù)于國(guó)內(nèi)OEM電腦生產(chǎn)廠商內(nèi)存提供商的記憶內(nèi)存，其內(nèi)存專門供應(yīng)聯(lián)想、方正、長(zhǎng)城、NEC、同方、實(shí)達(dá)、浪潮、海信、海爾、TCL等廠商。其精湛做工和穩(wěn)定的性能，長(zhǎng)久以來博得了眾多電腦廠商的認(rèn)可。
    號(hào)外！爾必達(dá)新顆粒上市 內(nèi)存廠商瘋搶
    趁此機(jī)會(huì)，HPE(原惠普企業(yè)部門)也推出了新一代服務(wù)器ProLiant DL385 Gen10，搭載AMD EPYC處理器，全球首家配備了三星的這種64GB大內(nèi)存，雙路32條插槽，總內(nèi)存2TB。
    同時(shí)還有一款單路的HPE ProLiant DL325 Gen10，16條插槽，總內(nèi)存也有1TB。
    HPE透露，新內(nèi)存可以帶來16％的性能提升。
    三星還透露，很快就會(huì)開始試產(chǎn)16Gb Die顆粒的256GB內(nèi)存條，使用四Rank、八Rank TSV技術(shù)，預(yù)計(jì)今年年底完成，可以為雙路服務(wù)器提供8TB的系統(tǒng)內(nèi)存。
    英偉達(dá)下一代產(chǎn)品將搭載：SK Hynix 海力士 GDDR6 顯存顆粒


    愛果轉(zhuǎn)
    百家號(hào)01-2400:13
    緊跟SAMSUNG（三星）腳步，在三星宣布GDRR6正式投入量產(chǎn)后，現(xiàn)在SK hynix（海力士）也開始行動(dòng)，官方宣布已開始向OEM廠商供貨，相比三星的量產(chǎn)階段，海力士這次是趕在了三星之前，據(jù)悉SK hynix GDRR6會(huì)率先出現(xiàn)在新一代英偉達(dá)Volta新架構(gòu)顯卡中。
    據(jù)了解，此次推出的顆粒共有四個(gè)版本，單顆容量均為8GB（256M×32），也就是1GB，工藝上采用108ball FCBGA封裝。編號(hào)“H56C8H24MJR-S2C”的有14Gbps、12Gbps兩種速率規(guī)格，電壓分別為1.35V、1.25V，編號(hào)“H56C8H24MJR-S0C”的則分為12Gbps、10Gbps，電壓同樣對(duì)應(yīng)1.35V、1.25V。對(duì)比上周公布的三星18GHz 16GB GDRR6顆粒，海力士GDRR6容量和頻率等規(guī)格均處于劣勢(shì)，具體性能差距不得而知，可能英偉達(dá)會(huì)針對(duì)不同定位產(chǎn)品采用不同類型方案，總之一切謎底將會(huì)在3月前后揭曉。
    三星QLC顆粒的860 QVO固態(tài)硬盤正式上架發(fā)售 最大4TB售451.93歐元
    2019-11-22 12:58:58 來源：快科技 作者：上方文Q 編輯：聽風(fēng)飛舞　瀏覽：96
    今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V-NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb(128GB)。
    爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆粒


    2010-05-14 18:33:29 出處：快科技 作者：以軍 編輯：以軍 人氣： 5386 次 評(píng)論(9)點(diǎn)擊可以復(fù)制本篇文章的標(biāo)題和鏈接
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    據(jù)報(bào)道，日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(dòng)（Mobile RAM）內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號(hào)稱目前能夠使用40nm工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。
    該2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。
    爾必達(dá)稱，新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨(dú)家設(shè)計(jì)工藝以及對(duì)電路、整體設(shè)計(jì)的優(yōu)化后，功耗相比之前50nm顆粒降低30%。一顆40nm 2Gb移動(dòng)顆粒的功耗比兩顆1Gb顆粒功耗一半還少。而且在不改變顆粒封裝空間的前提下，新顆粒密度提高兩倍，適用于智能手機(jī)、平板機(jī)等其它手持設(shè)備。
    據(jù)悉爾必達(dá)將在今年六月份出貨樣品顆粒，7月份就有可能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，爾必達(dá)廣島工廠將負(fù)責(zé)新顆粒的生產(chǎn)。
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