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HEMS 霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 HEMS 霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng), 多樣品實驗, 非常適合材料研究等應(yīng)用.

HEMS 霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)特點
 多樣品實驗, van der Pauw 4接觸點 ; Hall Bar 6接觸點
 廣泛的材料: GaAs, lnP, lnAs, Si, Ge, SiGe, HgCdTe, GaN, SiC, AIN, 金屬氧化物和導(dǎo)體
 非常適合于材料研究, 產(chǎn)品開發(fā)和質(zhì)量控制
 樣品電阻率, 電阻率, 霍爾系數(shù), 霍爾遷移率, 載流子濃度或電流電壓特性
Windows 操作系統(tǒng)用于系統(tǒng)操作, 數(shù)據(jù)采集和分析

HEMS  霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)可以測量
 移動測量
 載流子測量
 電阻率測量
Van der Pauw 測量
Hall Bar 測量

HEMS  霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)帽
 可調(diào)帽
25mm 面鉆
 連續(xù)可調(diào) 0-1, 30mm 的隙
 可選 50mm, 75mm 大的鉆心

電磁鐵:
±2.ST@ I 0mm 間隙與 25mm 桿面
±35V, ±70A 線圈
 磁場 > ±IT @ 25mm 隙
 磁場強度高, 磁間距大
 串聯(lián)線圈電阻: 0.5 0 ( 20℃ )
水冷

HEMS  霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)樣品臺:
彈簧加載設(shè)計選項
Van der Pauw 設(shè)計測量
 四、六、八觸點廳桿測量設(shè)計
 容易安裝樣品與彈簧銷
 多個樣品安裝

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