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    輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：
    IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。
    IGBT與MOSFET的對(duì)比：
    MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
    主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
    缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
    IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
    特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
    判斷極性
    首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
    徐州英飛凌IGBT模塊
    IGBT/FRD
    IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。
    超快速I(mǎi)GBT
    國(guó)際整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于減少I(mǎi)GBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速I(mǎi)GBT可最大限度地減少拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號(hào)，另可用在大功率電源變換器中。
    -/gbabbfi/-

    企業(yè)主要銷(xiāo)售品牌
包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門(mén)康、富
士、三菱、仙童、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門(mén)子、英達(dá)、三
肯、三洋、APT、ST ABB、西碼、CDE等國(guó)外知名公司生產(chǎn)的IGBT
可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復(fù)二極管、整流橋、電解電容、
驅(qū)動(dòng)電路、MOSFET 日本TOCOS電位器、美國(guó)BOURNS電位器、
日本光洋旋轉(zhuǎn)編碼器等 。


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在國(guó)內(nèi)嚴(yán)格按照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)：ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶閘管、
KS型雙向晶閘管、KK型快速晶閘管、KG型高頻晶閘管、橋式整流器、電力模塊、肖特基模塊、
SF超快恢復(fù)二極管、電焊機(jī)專用模塊、固態(tài)繼電器、固態(tài)調(diào)壓器、型材散熱器等電力半導(dǎo)體器件。 

 
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