反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)

RIE 是結(jié)合電漿態(tài)的反應(yīng)性化學(xué)活性與引起離子撞擊的物理影響來(lái)達(dá)到蝕刻的一項(xiàng)技術(shù)。以加速獲得能量的正離子來(lái)撞擊試片，能量為300~700 V，放置試片的極板加另一負(fù)偏壓，操作壓力僅為1.33~26.6 Pa的低壓，屬于異向蝕刻過(guò)程。由于RIE 是以離子撞擊增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)，故又稱離子輔助氣相表面化學(xué)或化學(xué)濺鍍。RIE 蝕刻機(jī)理如下:(1)材料表面經(jīng)過(guò)離子撞擊后其化學(xué)性質(zhì)發(fā)生了一定變化，有較大的濺鍍效果;(2)離子撞擊材料表面引起的晶格損傷會(huì)增強(qiáng)材料的蝕刻速率;(3)離子撞擊材料表面，將能量轉(zhuǎn)移給揮發(fā)性產(chǎn)物，使其脫離表面。

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)

MOCVD 是一種先進(jìn)的外延生長(zhǎng)技術(shù)，是用氫氣將金屬有機(jī)化合物蒸氣和氣態(tài)非金屬氫化物經(jīng)過(guò)開關(guān)網(wǎng)絡(luò)送入反應(yīng)室加熱的襯底上，通過(guò)熱分解反應(yīng)最終在襯底上生長(zhǎng)出外延層的技術(shù)。MOCVD 是在常壓或低壓下生長(zhǎng)的，氫氣攜帶的金屬有機(jī)物源(如III 族)在擴(kuò)散通過(guò)襯底表面的停滯氣體層時(shí)會(huì)部分或全部分解成III 族原子，在襯底表面運(yùn)動(dòng)到合適的晶格位置，并捕獲襯底表面已熱解了的V 族原子，從而形成III-V族化合物或合金。MOCVD 的主要優(yōu)點(diǎn)是適合于生長(zhǎng)各種單質(zhì)和化合物薄膜材料，特別是高TC 超導(dǎo)氧化物及金屬薄膜等，用于生長(zhǎng)化合物的各組分和摻雜劑都是氣態(tài)源，便于控制及換源，同時(shí)生長(zhǎng)速率較快及需要控制的參數(shù)較少等特點(diǎn)，使MOCVD 有利于大面積、多片的工業(yè)化生產(chǎn);但此技術(shù)也有氫化物毒性大、化學(xué)污染較嚴(yán)重及生長(zhǎng)溫度高等缺點(diǎn)。

第二，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，山綠納米粘磚王，納米粘磚王為創(chuàng)新型環(huán)保建材，解決了建筑業(yè)瓷磚空鼓脫落的頑癥。

??科建集團(tuán)經(jīng)過(guò)多年的反復(fù)科技攻關(guān)與試驗(yàn)，最終研發(fā)出了這款納米粘磚王新產(chǎn)品，經(jīng)大量科學(xué)實(shí)驗(yàn)表明，納米粘磚王的研發(fā)成功解決了建筑行業(yè)的瓷磚空鼓、滲水、脫落等頑癥，大力提升了建筑行業(yè)的質(zhì)量空間。目前，納米粘磚王不僅被很多重大工程優(yōu)先采用，納米粘磚王，也走入了尋常百姓家，市場(chǎng)占有率快速提升。

存儲(chǔ)元件包括 MTJ1，作為靜電計(jì)的MTJ2，其存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)面積僅0.5 ìm2，可以檢測(cè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)狀況，每個(gè)MTJ 都有一個(gè)旁電路來(lái)修正操作點(diǎn)的工作狀況。邊門電路電壓使得MTJ1 偏離其庫(kù)侖阻塞區(qū)，當(dāng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電壓超過(guò)其庫(kù)侖間隙電壓時(shí)電子通過(guò)此晶體管;MTJ2 上的高泄漏極電壓防止電導(dǎo)出現(xiàn)波動(dòng)，同時(shí)可以控制靜電計(jì)電流呈線性變化。研究認(rèn)為90%的硅納米線都具有良好的庫(kù)侖阻塞效應(yīng)，同時(shí)也注意到CMOS 電路在溫度高于4.2 K 時(shí)能有效地工作，所以將來(lái)可能在室溫下實(shí)現(xiàn)此器件的應(yīng)用。

雙方向電子泵

雙方向電子泵為基礎(chǔ)二元構(gòu)造單元，納米粘磚王，由 SETs 組成。采用EB 及RIE 技術(shù)用Al 膜將硅納米線固定在SOI 晶片上采用濕化學(xué)腐蝕工藝將Al 膜去除后，將此器件于1 000℃氧化鈍化5 min，制得了硅納米線長(zhǎng)80 nm 的雙方向電子泵電路SEM 圖。Altebaeumer 等對(duì)這些庫(kù)侖阻塞器件的電子特性研究表明減少硅納米線的長(zhǎng)度，門電路電壓可以很好地控制通過(guò)隧道勢(shì)壘的電子輸運(yùn)情況。

雙重門電路

Tilke 等在雙門電路中分別嵌入了重?fù)诫s硅納米線及用于MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的平面旁電路，制備過(guò)程如下:采用快速熱氧化工藝(RTO)在硅晶片表層氧化生長(zhǎng)50 nm厚的氧化物層，此過(guò)程需消耗25 nm厚的硅層。隨后用HF 酸將氧化物腐蝕后，應(yīng)用陣列標(biāo)志在25 nm 厚的硅薄膜上得到了一臺(tái)面結(jié)構(gòu)，納米粘磚王好不好，以便隨后的光刻及RIE 工藝能順利實(shí)施。采用低能量EB技術(shù)可將納米線直徑限制在9 nm 以下，RIE 工藝將未受保護(hù)的硅層移至嵌入的氧化層內(nèi)，并采用光刻膠來(lái)保護(hù)面積較大的接觸區(qū)。為了鈍化蝕刻結(jié)構(gòu)表面及蝕刻過(guò)程引起的表面結(jié)構(gòu)的破壞，于950℃制得了厚約5nm 的熱沉淀柵氧化物，隨后通過(guò)CVD 或噴濺工藝在上面沉積一層50nm 厚的氧化層作為金屬頂柵極。通過(guò)金屬柵極和平面邊柵極可以控制重?fù)诫s硅納米線的單電子作用，所以通過(guò)改變金屬柵極及平面邊柵極電壓就可以控制納米線的電導(dǎo)波動(dòng)情況，這可能對(duì)制造低能耗集成邏輯電路有極其重要的作用。

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