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    Wolfspeed的CMPA060002F是基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，氮化鎵具有更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與硅和砷化鎵晶體管相比，氮化鎵Hemt還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC采用了分布式（行波）放大器設(shè)計(jì)方法，能夠在具有銅鎢散熱片的小型壓下封裝中實(shí)現(xiàn)非常寬的帶寬。
    CRE的CMPA525025F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（Hemt），專門為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)，使CMPA525025F非常適合5.2-5.9GHz雷達(dá)放大器應(yīng)用。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

    CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供從6到12GHz的瞬時(shí)帶寬的25瓦功率。氮化鎵HEMT MMIC封裝在熱增強(qiáng)的10鉛陶瓷封裝中。這提供了一個(gè)高功率6至12千兆赫，高效率放大器在一個(gè)小封裝在50歐姆。
    Wolfspeed 是碳化硅肖特基二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管分立原件以及模塊的先驅(qū)公司；另外，我們的門極驅(qū)動(dòng)板也使得我們的客戶能非常方便的使用我們的產(chǎn)品。這些代表業(yè)界最先進(jìn)的產(chǎn)品使電源變換系統(tǒng)能夠提高開關(guān)頻率，縮小體積重量的同時(shí)提高轉(zhuǎn)換效率。
    Wolfspeed的CG2H30070F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（Hemt）。它有一個(gè)輸入匹配，可以在0.5-3.0GHz范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比，氮化鎵具有更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與硅和砷化鎵晶體管相比，氮化鎵Hemt還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該裝置采用2鉛金屬/陶瓷法蘭封裝，以獲得最佳的電氣和熱性能。特征：輸入匹配，用于500–3000兆赫的瞬時(shí)操作最小功率70 W（CW）80 W（CW）典型Pout16分貝典型小信號(hào)增益28 V操作在85°C外殼溫度下，100 W（CW）使用2x CG2H30070F的應(yīng)用電路可用。
    Wolfspeed的cghv1j006d是一種高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（Hemt），采用0.25μm的柵極長(zhǎng)度制造工藝。這款GaN-on-SiC產(chǎn)品具有卓越的高頻、高效功能。它非常適合在40伏高擊穿電壓下從10兆赫到18千兆赫的各種應(yīng)用。
    Wolfspeed的cghv35120f是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（Hemt），專門為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)，使cghv35120f非常適合3.1-3.5GHz雷達(dá)放大器應(yīng)用。特征50歐姆匹配55 W（脈沖寬度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分貝典型小信號(hào)增益28 V操作晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

    Wolfspeed 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管使開關(guān)頻率更高，並且縮小了像電感器、電容器、篩選器、變壓器這樣的組件的尺寸。我們的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管可取代硅器件，有更高的阻斷電壓（>1700V），雪崩額定值>1800V，開關(guān)和傳導(dǎo)損耗也較低。我們?cè)谖迥昵把u造了首個(gè)碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，並且自那時(shí)起一直都在不斷完善這項(xiàng)技術(shù)。


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