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    可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多?？煽毓栌腥齻€電---陽（A）陰（C）和控制（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應用可控硅時，只要在控制加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
    鑒別：
    可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電---陽（A）陰（C）和控制（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應用可控硅時，只要在控制加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
    電壓測方法
    可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。
    首先，可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽和陰之間加上一個正向電壓Ea，又在控制G和陰C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電電流IC1。因為BG1集電與BG2基相連，IC1又是BG2的基電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電電流IC2送回BG1的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
    可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1β2Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關(guān)斷。當然，如果Ea性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。
    可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。
    普通可控硅的三個電可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當于一個二管，G為正、K為負，所以，按照測試二管的方法，找出三個中的兩個，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。
    測量方法
    鑒別可控硅三個的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個之間的電阻值就可以。
    陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽和控制正反向都不通） [1] 。
    控制與陰之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂贫芴匦允遣惶硐氲?，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制反向電阻比較小，并不能說明控制特性不好。另外，在測量控制正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制反向擊穿。
    若測得元件陰陽正反向已短路，或陽與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說明元件已損壞。
    可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
    電壓測方法
    可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。
    首先，可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽和陰之間加上一個正向電壓Ea，又在控制G和陰C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電電流IC1。因為BG1集電與BG2基相連，IC1又是BG2的基電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電電流IC2送回BG1的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
    可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1β2Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關(guān)斷。當然，如果Ea性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。
    可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。
    普通可控硅的三個電可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當于一個二管，G為正、K為負，所以，按照測試二管的方法，找出三個中的兩個，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。

    可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。
    可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制G決定。在控制G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。
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