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    高價回收庫存顯存顆粒K4Z80325BC-HC16 GDDR6 256M*32 歡迎在線咨詢

  • 作者:深圳市福田區(qū)億泰輝電子商行 2019-12-07 09:43 700
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    三星今天宣布生產(chǎn)16Gb GDDR6顯存顆粒
    三星于今日宣布已開始批量生產(chǎn)16Gb GDDR6顯存顆粒,該顆粒采用10nm工藝,比目前20nm工藝的8Gb GDDR5顆粒先進兩代,而數(shù)據(jù)傳輸速度也高達72Gbps/s,工作電壓僅為1.35v,因此無論是性能還是節(jié)能方面都領(lǐng)先于GDDR5。
    看來HBM2顯存在下一代顯卡上面依然不會普及,GDDR6將作為主力顯存應用于絕大部分顯卡。畢竟目前顯存性能或者說數(shù)據(jù)帶寬已經(jīng)不是顯卡性能的瓶頸了,因此GDDR6還是很理想的。

    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨


    CNET中國·ZOL 作者:中關(guān)村在線 醉龍殤 「原創(chuàng)】 2006年10月05日 06:29 評論(8)


    創(chuàng)見作為全球知名內(nèi)存企業(yè),在高端產(chǎn)品研發(fā)方面擁有雄厚的實力。目前其已面向市場推出1GB DDR2-800內(nèi)存,報價為1100元,采用鎂光顆粒,品質(zhì)更有保障,有需要的高端用戶及發(fā)燒玩家不妨參考選購。


    接下來就讓我們共同看一下產(chǎn)品的外觀。



    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存正面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存采用雙面16內(nèi)存顆粒規(guī)格設計,整體做工嚴謹扎實,PCB采用短線程布線設計,簡潔明了,有效減少了信號的延遲及引線間的信號干擾,確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩???沼郟CB表面為大面積覆銅遮蓋,很好的保證了產(chǎn)品的電氣性能及抗電子干擾能力。優(yōu)選微型貼片電容和高品質(zhì)8PIN電阻排裝貼整齊,焊點均勻飽滿,用料充足。左側(cè)粘貼了熒光粉防偽標簽,右側(cè)則粘貼了規(guī)格標簽。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存背面外觀


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存背面采用效果最好的“B”類覆銅效果設計,進一步保證了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存規(guī)格標簽


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存容量為1GB,工作頻率為DDR2-800(等效于PC2-6400),產(chǎn)品編號為145418-0012。工作電壓為1.8V,默認時序參數(shù)為5-5-5-12,針腳數(shù)為240PIN,采用DDR2-DIMM接口規(guī)范。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存顆粒特寫


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存采用鎂光內(nèi)存顆粒,采用FBGA封裝模式,使用最新的65納米制造工藝。編號為D9GKX,工作響應時間為2.9NS。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存PCB特寫


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    「圖】創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存金手指


    創(chuàng)見1GB DDR2-800內(nèi)存金手指采用技術(shù)較為成熟的化學鍍金制造工藝,PCB邊緣切割整齊。


    鎂光小D9顆粒 創(chuàng)見1GB DDR2-800到貨
    產(chǎn)品外觀介紹


    以前提到服務器內(nèi)存條,大家往往會想到出色的做功和良好的穩(wěn)定性。事實確實如此,為了保障服務器或個人工作站的不間斷運行,服務器內(nèi)存在做功和用料上都不惜工本,價格也是普通用戶所無法接受的。近日,我們ZOL評測室收到了由創(chuàng)見廠商送測的一款DDR2 800ECC 1GB服務器專用內(nèi)存條,閑話少說讓我們先來飽飽眼福。



    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存條正面


    這款創(chuàng)見DDR2 800ECC 1GB內(nèi)存采用鎂光內(nèi)存顆粒,6層綠色PCB板與18顆(正反雙面)64MB內(nèi)存顆粒所組成,具備ECC(Error Correction Code)內(nèi)存?zhèn)慑e技術(shù),屬于工作站與服務器領(lǐng)域選用的高端產(chǎn)品。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存條被面


    ECC自動除錯功能 (error-correcting code)


    一種含有特殊電路,能夠自我檢查錯誤及更正的內(nèi)存,可自動修復0與1的訊號,在芯片內(nèi)以開/關(guān)在傳輸時的一些錯誤。相較常見的Parity Check除錯功能,ECC具備更高的可靠性。因為當數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤時,Parity Check只有50%的機會可以偵察得到,命中率不高,而ECC相對可以滿足高階使用者對數(shù)據(jù)可信度的需求。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測 鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    標簽及防偽標志


    在內(nèi)存條左側(cè)貼有內(nèi)存規(guī)格標簽,標簽上面印有內(nèi)存容量1GB、規(guī)格DDR2 800MHz ECC、SN編號140095-0003、條形碼等信息。大家注意看在條形碼右側(cè)的RoHS的英文,說明該產(chǎn)品不含有鉛的成份,符合歐盟的環(huán)保標準。右側(cè)貼有創(chuàng)見的鐳射防偽標簽,如果標簽撕毀將失去產(chǎn)品的質(zhì)保。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    顆粒特寫


    大家都了解目前AM2 K8處理器內(nèi)部集成DDR2內(nèi)存控制器,因此DDR2內(nèi)存超頻已成為國內(nèi)外發(fā)燒友討論的焦點話題。這款創(chuàng)見內(nèi)存所采用的是鎂光D9顆粒,采用FGBA封裝,這個顆粒也正是目前各大論壇內(nèi)存超頻板塊討論的焦點,這個顆粒的性能到底怎樣呢?讓我們來一同揭開它的神秘面紗。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存組圖


    品牌:摩托羅拉 內(nèi)存 回到頂部閱讀鎂光D9顆粒超頻實戰(zhàn)
    作為標準的DDR2內(nèi)存的測試平臺,主要配件是一顆LGA775接口Intel P4 EE3.46G處理器,它的前端總線是1066MHz,512KB的L2,2MB的L3。主板我們使用的是華碩的P5WD2 Premium,該款主板的特點是BIOS超頻調(diào)節(jié)選項比較豐富,在內(nèi)存異步條件下最高可以支持DDR2 900的內(nèi)存頻率,華碩P5WD2 Premium主板采用了Intel的955X+ICH7R芯片組,支持1066/800/533的前端總線,支持DDR2800/667/533等多種規(guī)格的內(nèi)存。顯卡是華碩的6800標準版,顯存頻率為600MHz,核心頻率為350MHz。測試之間我們在測試過程中屏蔽了主板上的聲卡、網(wǎng)卡、及端口。在今后的測試中,隨著AM2用戶的增多我們也會考慮引用AMD平臺進行測試。



    測試平臺
    CPU Intel P4 EE 3.46(超線程關(guān)閉)
    主板 ASUS P5WD2-E(Intel975X+ICH7R)
    內(nèi)存 創(chuàng)見 DDR2-800ECC 1024MB
    HDD 希捷酷魚7200.9(7200RPM) 160GB SATA
    顯卡 華碩6800標準版
    電源 航嘉磐石400
    操作系統(tǒng) WindowsXP英文+SP2

    依照以往的測試流程,將內(nèi)存插好點亮之后我們首先用CPU-Z去檢查內(nèi)存的信息,具體信息如下:


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存SPD信息


    在CPU-Z 1.35版的檢測中,Moudule Size的內(nèi)存容量為1024MBytes,頻率為PC6400(等同于DDR2-800),生產(chǎn)廠為Transcend Information,產(chǎn)品編號為TS128MLQ72V8J及序列號為00000001,生產(chǎn)日期是06年第35周。在下欄的頻率及SPD參數(shù)信息表中 ,可以看到新版的CPU-Z增加了Trc信息,頻率信息分為三組,分別是400MHz 5.0-5-5-16-21、266MHz 4.0-4-4-11-14、200MHz 3.0-3-3-8-11。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存頻率檢測


    在BIOS中我們已經(jīng)將該內(nèi)存的時序設置為By SPD,從上面的截圖可以看到在CPU-Z的內(nèi)存頻率信息中該款創(chuàng)見DDR2 800ECC內(nèi)存的默認頻率是400.7MHz,F(xiàn)SB:DRAM的比值為2:3,默認時序為5.0-5-5-16剛好符合SPD信息表中所設定的信息。在通道信息欄中顯示的是Dual即雙通道。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    默認PCmark05內(nèi)存測試


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    默認SuperPI 1M測試,點擊放大


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    Everest內(nèi)存帶寬測試


    說句實話,筆者是初次試用采用鎂光D9顆粒的內(nèi)存。這款內(nèi)存的D9顆粒是網(wǎng)上大家談到超頻性能一般的小D9顆粒,況且這款內(nèi)存又是帶有ECC效驗顆粒的服務器內(nèi)存,再加上單條內(nèi)存的容量為1GB,在超頻之前夾雜的前面說到的這些因素讓筆者對本次超頻并不抱有希望。


    按照網(wǎng)上流傳的超頻經(jīng)驗采用鎂光D9顆粒的內(nèi)存條需要加高壓才能發(fā)揮它最佳的性能,當電壓加到2.3V以上時性能全面爆發(fā)。想到這個特點筆者突然想到了在DDR時代著名的BH-5顆粒,曾經(jīng)輝煌一時的BH-5也就是憑借在3.2V以上的高壓將內(nèi)存顆粒的性能充分壓榨出來。


    小試牛刀 輕松超頻至DDR2 1066


    ASUS P5WD2-E主板的內(nèi)存電壓最高可以支持到2.4V筆者感覺對于目前的DDR2內(nèi)存這個電壓值已經(jīng)足夠高了,于是筆者將電壓加到2.3V。因為在異步模式下處理器在266MHz的外頻下最高可以支持1066的內(nèi)存頻率所以我們將該內(nèi)存的頻率調(diào)至1066后保存BIOS信息并重啟,平臺輕松點亮,在進入系統(tǒng)之后我們用SuperPI 1M簡單測試了一下,可以順利通過。以上測試我們并沒有截圖。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    超頻測試截圖


    再接再厲 穩(wěn)超DDR2 1100


    在成功超頻DDR2 1066之后筆者對這款內(nèi)存的超頻產(chǎn)生了極大的興趣,它究竟可以超頻至多高?可以達到一個怎樣的時序?這些都是為解之謎。下面我們開始了令人難忘的超頻之旅。從上圖可以看到這款內(nèi)存已經(jīng)達到了DDR2 1100的頻率,5-4-4-15的時序比較中規(guī)中矩,SuperPI 1M的測試順利通過!在我們測試SuperPI 4M的時候運行到一般出現(xiàn)了報錯的現(xiàn)象,于是我們降低內(nèi)存頻率再次測試SuperPI 4M。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    SuperPI 4M測試


    在降低到DDR2 1080這個頻率的時候SuperPI 4M測試成功跑過。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    DDR2 1080內(nèi)存讀取測試


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    DDR2 1080內(nèi)存寫入測試


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    DDR2 1080 SP2004測試


    隨后我們使用SP2004進行了2小時左右的穩(wěn)定性測試,系統(tǒng)整體非常穩(wěn)定并沒有報錯、死機等現(xiàn)象出現(xiàn)。


    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    該內(nèi)存極限頻率


    最后經(jīng)過反復測試,這款內(nèi)存可以穩(wěn)定運行在DDR2 1080頻率下,時序為5-4-4-15。在DDR2 1066的頻率下可以跑4-4-4-12,這個頻率和參數(shù)對于小D9內(nèi)存顆粒來說還是比較理想的。除此之外,這款內(nèi)存的極限頻率為DDR2 1140,但是在這個頻率可以進入系統(tǒng),并且能玩一些簡單的游戲,但是SuperPI的測試不能通過。在不加電壓(3.0V以下)的情況下1066的超頻基本都是失敗的,電壓2.2V-2.4V之間,對顆粒影響并不高,此我們的測試告一段落。


    回到頂部閱讀測試總結(jié):
    此款創(chuàng)見DDR2 800ECC 1GB內(nèi)存做工出色,顆粒的挑選也十分考究,再加上其優(yōu)秀的超頻能力給我們ZOL評測室留下了深刻的印象。近期創(chuàng)見在媒體動作頻繁,這是我們在一個月之內(nèi)收到的第三款創(chuàng)見內(nèi)存,由此可見創(chuàng)見內(nèi)存進入DIY市場的用意。除此之外,這款內(nèi)存的價格也是一般用戶所不能接受的,畢竟這款內(nèi)存是面向個人工作站及服務器領(lǐng)域的,所以2000元一根的售價并非每一位發(fā)燒友都可以享用,感興趣的朋友不妨考慮它的低容量版本。



    鎂光顆粒 1GB創(chuàng)見DDR2-800內(nèi)存評測
    內(nèi)存組圖


    我們從網(wǎng)上搜集了一些采用鎂光D9顆粒內(nèi)存的資料僅供大家參考:


    2x512MB:


    CORSAIR XMS2 1GB (2 x 512MB) 240-Pin DDR2 SDRAM Unbuffered DDR2 1000 (PC2 8000) System Memoryl
    Model #: TWIN2X1024-8000UL


    CORSAIR XMS2 1GB (2 x 512MB) 240-Pin DDR2 SDRAM Unbuffered DDR2 800 (PC2 6400) Dual Channel Kit System Memory
    Model #: TWIN2X1024A-6400




    OCZ DDR2 PC2-5400 Platinum Enhanced Bandwidth Dual Channel
    2GB (2x1024) D/C Kit PN – OCZ26672048EBDCPE-K
    美光GDDR5顯存的GTX 1070早前被爆出有bug,容易引發(fā)驅(qū)動崩潰——具體來說就是,如果顯卡顯存在300mV低電壓下待機,然后你用軟件超頻顯存頻率+400到+500,美光顯存就會出問題,要么驅(qū)動崩潰,要么就是顯示BSOD信息。但如果你現(xiàn)在afterburner等軟件中鎖定電壓,顯存就可以正常超頻500、600MHz頻率。


    這個問題本月初就有用戶在NVIDIA討論了,現(xiàn)在的情況是NVIDIA已經(jīng)解決問題了,需要升級顯卡BIOS,不過普通用戶還要等等顯卡廠商那邊放出最終BIOS。

    聯(lián)蕓科技對外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒
    工程師青青 發(fā)表于 2019-11-19 17:22:31
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    電子發(fā)燒友網(wǎng)
    收聽電子行業(yè)動態(tài),搶先知曉半導體行業(yè)
    11月15日, 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解,MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片,已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)支持64層3D QLC后,現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案,客戶無需修改硬件,為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)布支持96層TLC的3D NAND閃存顆粒,最高容量可達到4TB,其性能也代表了行業(yè)的標桿,在1TB容量下連續(xù)讀寫性能達到:560MB/s,528MB/s;隨機讀寫性能達到:396MB/s,315MB/s,跑分超過900分。


    聯(lián)蕓科技對外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒


    聯(lián)蕓科技副總經(jīng)理李國陽表示,MAS0902主控芯片于去年10月份榮獲工信部CSIP第十二屆中國芯“最具潛質(zhì)產(chǎn)品”獎之后,快速獲得市場認可,并在今年11月份剛剛榮獲工信部CCID第三屆中國芯“優(yōu)秀市場表現(xiàn)產(chǎn)品”獎,這也自2010年以來唯一連續(xù)兩次獲得中國芯年度榮譽國產(chǎn)SSD主控芯片。目前該主控芯片已經(jīng)能夠為客戶在不進行硬件改版的情況下,提供支持目前市場上全部量產(chǎn)的3D NAND顆粒的高品質(zhì)SSD解決方案,也是目前全球唯一一款能夠成熟支持從32GB到4TB容量的DRAMLESS解決方案的主控芯片。聯(lián)蕓科技將基于不同市場對SSD的不同要求,全面布局消費級、工控類工控級、企業(yè)級、監(jiān)控級、商密級多應用場景高品質(zhì)SSD解決方案。聯(lián)蕓科技作為全球為數(shù)不多掌握SSD主控芯片及解決方案核心技術(shù)廠商,將始終為中國乃至全球SSD客戶帶來極具性價比的產(chǎn)品和服務。


    據(jù)悉,目前聯(lián)蕓科技對外發(fā)布的支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND 閃存顆粒,已經(jīng)可以與客戶同步測試并協(xié)助量產(chǎn)。首批獲得聯(lián)蕓科技技術(shù)授權(quán)廠商,預計將在11月底前正式推出基于國產(chǎn)主控MAS0902+96層3D TLC NAND原廠顆粒系列固態(tài)硬盤,將會給市場帶來更多選擇。聯(lián)蕓科技MAS0902主控芯片搭載原廠最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒解決方案成功量產(chǎn),也標志著國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤主控已經(jīng)在芯片設計、固件開發(fā)以及量產(chǎn)測試方面從跟隨到逐步超越的實質(zhì)性突破。

    SK Hynix發(fā)布企業(yè)級SSD新品:采用72層閃存顆粒 最高容量4TB
    2019年02月06日 08:48 1353 次閱讀 稿源: 1 條評論
    硬件
    2012 年開始銷售固態(tài)硬盤驅(qū)動器的 SK Hynix,剛剛發(fā)布了最新的企業(yè)級 SSD 新品。其基于自家 72 層 64GB NAND 閃存顆粒,最高容量達到了 4TB 。當然,這并不是我們首次見到采用這些閃存芯片的 SSD,此前該公司已推出過面向客戶機的版本。從官方公布的圖片來看,SK Hynix 提供了 2.5" SATA 和未指明的 NVMe M.2 的封裝樣式,但也不排除 PCIe 插卡或 U.2 版本。
    1.jpg
    性能方面,該公司披露 1TB SATA SSD 的持續(xù)讀寫可以分別達到 560MB/s 和 515MB/s,隨機讀寫性能則是 98k 和 32k IOPS 。
    相比之下,PCIe 版本的持續(xù)讀寫可以飆到 2700MB/s 和 1100MB/s,隨機讀寫亦有 230k 和 35k IOPS 。作為一款所謂的“企業(yè)級 SSD”,人們或許對其較差的寫入性能感到有些奇怪。
    鑒于數(shù)據(jù)中心的工作負荷偏向于讀取方面,其實還是可以理解的,只是不清楚它們的寫入耐久度如何,SK Hynix 也尚未披露其它容量版本的性能數(shù)據(jù)。
    據(jù)悉,2.5" SATA SSD 新品的最高容量為 4TB,而 NVMe SSD 版本的最高容量為 1TB 。當前該公司已向美國的服務器和數(shù)據(jù)中心客戶提供樣品,預計上市時間為今年晚些時候。
    三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務應用。
    三星表示,這條內(nèi)存的標準頻率為2666MHz,后續(xù)還可以輕松提升,同時功耗比兩條32GB的節(jié)省多達19%。
    三星這種大容量內(nèi)存主要面向AMD EPYC服務器平臺,因為后者內(nèi)存擴展性能極佳,支持八通道,每路配16條內(nèi)存插槽,使用這種64GB內(nèi)存條的話,總?cè)萘烤涂梢赃_到2TB。
    現(xiàn)在,法國、意大利的一些電商紛紛提前上架了三星860 QVO,并給出了明確規(guī)格、價格,預計12月份發(fā)布并開賣。


    游民星空


    860 QVO是標準的2.5寸SATA硬盤,容量至少有1TB、2TB、4TB三種版本,QLC的大存儲密度終于體現(xiàn)出來了,而性能是標準水平:持續(xù)讀寫最高550MB/s、520MB/s,隨機讀寫最高96000 IOPS、89000 IOPS。


    價格方面,歐洲電商給出的不含稅預售價是117.50、225.96、451.93歐元,加上19%的稅差不多是140、270、540歐元(¥1105、2130、4265),要遠遠低于860 EVO系列同樣容量的160、380、850歐元。


    在國內(nèi),860 EVO SATA 1/2/4TB目前分別賣1299/2199/5799元,860 PRO SATA 1/2TB分別賣1999/4199元。


    看這意思,低價大容量SSD的時代要開啟了,QLC可以啊。機械硬盤又該怎么辦呢?

    爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒


    2010-05-14 18:33:29 出處:快科技 作者:以軍 編輯:以軍 人氣: 5386 次 評論(9)點擊可以復制本篇文章的標題和鏈接
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    據(jù)報道,日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米,號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。
    該2Gb移動內(nèi)存顆?;?0nm CMOS工藝,支持x16-bit、x32-bit位寬,采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外,該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作,數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps,工作溫度-25到85度。
    爾必達稱,新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及對電路、整體設計的優(yōu)化后,功耗相比之前50nm顆粒降低30%。一顆40nm 2Gb移動顆粒的功耗比兩顆1Gb顆粒功耗一半還少。而且在不改變顆粒封裝空間的前提下,新顆粒密度提高兩倍,適用于智能手機、平板機等其它手持設備。
    據(jù)悉爾必達將在今年六月份出貨樣品顆粒,7月份就有可能實現(xiàn)量產(chǎn),爾必達廣島工廠將負責新顆粒的生產(chǎn)。

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