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光刻是使用曝光的半導(dǎo)體器件制造過程中的重要步驟i光和顯影描繪光致抗蝕劑層上的幾何結(jié)構(gòu)，然后通過蝕刻工藝將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。這里提到的襯底不僅包括硅晶片，還包括其他金屬層和電介質(zhì)層，例如SOS中的玻璃和藍(lán)寶石。

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光繪絲印網(wǎng)版規(guī)格漲縮根本原因1、溫度的危害在空氣濕度下，光繪絲印網(wǎng)版的規(guī)格隨之溫度的升高而漲大，溫度降低而變小，石英鉻板，其熱漲形變指數(shù)在18ppm/℃上下，換句話說當(dāng)溫度產(chǎn)生1℃的轉(zhuǎn)變時(shí)，50cm長的絲印網(wǎng)版會產(chǎn)生9um的轉(zhuǎn)變(或20寸中的0.36mil).2、環(huán)境濕度的危害在相對性溫度下，浙江鉻板，絲印網(wǎng)版的規(guī)格隨之環(huán)境濕度的升高而漲大，高精石英鉻板，空氣濕度的減少而變小，濕漲形變指數(shù)在10ppm/%RH右，換句話說當(dāng)環(huán)境濕度度產(chǎn)生1℃的轉(zhuǎn)變時(shí)，50cm長的絲印網(wǎng)版會產(chǎn)生5um的轉(zhuǎn)變(或20寸中的0.20mil).3、膠卷在光繪前沒有歷經(jīng)預(yù)設(shè)因?yàn)槟z卷生產(chǎn)制造時(shí)沒法事先操縱膠卷中的環(huán)境濕度與每一裝配車間的環(huán)境濕度相同，因而應(yīng)用以前應(yīng)先使其與辦公環(huán)境超過均衡的情況。提議預(yù)設(shè)時(shí)間為12鐘頭，預(yù)設(shè)時(shí)務(wù)必開啟膠卷的包裝，使其與外部的氣體充足觸碰。

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蝕刻或離子注入完成后，將進(jìn)行光刻的最后一步，即光致抗蝕劑去除，以促進(jìn)半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通常，在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過程中，執(zhí)行許多光刻工藝。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的過程可能需要多達(dá)50個(gè)光刻步驟，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻步驟數(shù)量將更少。

蘇州制版位于蘇州工業(yè)園區(qū)生物納米園，是集研究、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)制作高精度掩膜版的企業(yè)，擁有高標(biāo)準(zhǔn)的全凈化廠房，優(yōu)i秀的高素質(zhì)人才、專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。