二管檢測(cè)方法小功率晶體二管1、判別正、負(fù)電（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二管的外殼上標(biāo)有二管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正，另一端是負(fù)。  （2）觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二管的外殼上，通常標(biāo)有性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正。還有的二管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)。 （3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正，紅表筆所接的一端則為負(fù)。(d)觀察二管外殼，帶有銀色帶一端為負(fù)。 2、檢測(cè)高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來(lái)說(shuō)，因?yàn)椴粩嘧兓虼烁叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌艹惺艿慕涣鞣逯惦妷骸?nbsp;雙向觸發(fā)二管將萬(wàn)用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測(cè)試電壓由兆歐表提供。測(cè)試時(shí)，搖動(dòng)兆歐表，萬(wàn)同樣的方法測(cè)出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的值之差越小，說(shuō)明被測(cè)雙向觸發(fā)二管的對(duì)稱性越好。瞬態(tài)電壓抑制二管用萬(wàn)用表測(cè)量管子的好壞對(duì)于單要型的TVS，按照測(cè)量普通二管的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無(wú)窮大。  對(duì)于雙向型的瞬態(tài)電壓抑制二管，任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大，否則，說(shuō)明管子性能不良或已經(jīng)損壞。 高頻變阻二管識(shí)別正、負(fù)高頻變阻二管與普通二管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色不同，普通二管的色標(biāo)顏色一般為黑色，而高頻變阻二管的色標(biāo)顏色則為淺色。其性規(guī)律與普通二管相似，即帶綠色環(huán)的一端為負(fù)，不帶綠色環(huán)一端為正。  變?nèi)荻軐⑷f(wàn)用表紅、黑表筆怎樣對(duì)調(diào)測(cè)量，變?nèi)荻艿膬梢_間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。如果在測(cè)量中，發(fā)現(xiàn)萬(wàn)用表指針向右有輕微擺動(dòng)或阻值為零，說(shuō)明被測(cè)變?nèi)荻苡新╇姽收匣蛞呀?jīng)擊穿壞。 單色發(fā)光二管在萬(wàn)用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池，將萬(wàn)用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了1.5V的電壓，使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二管的開(kāi)啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正紅表筆所接的為負(fù)。紅外發(fā)光二管1、判別紅外發(fā)光二管的正、負(fù)電。紅外發(fā)光二管有兩個(gè)引腳，通常長(zhǎng)引腳為正，短引腳為負(fù)。因紅外發(fā)光二管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電清晰可見(jiàn)，內(nèi)部電較寬較大的一個(gè)為負(fù)，而較窄且小的一個(gè)為正。 2、先測(cè)量紅個(gè)發(fā)光二管的正、反向電阻，通常正向電阻應(yīng)在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。 紅外接收二管1、識(shí)別管腳性（1）從外觀上識(shí)別。常見(jiàn)的紅外接收二管外觀顏色呈黑色。識(shí)別引腳時(shí)，面對(duì)受光窗口，從左至右，分別為正和負(fù)。另外在紅外接收二管的管體頂端有一個(gè)小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負(fù)，另一端為正。 （2）先用萬(wàn)用表判別普通二管正、負(fù)電的方法進(jìn)行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測(cè)量管子兩引腳間的電阻值，正常時(shí)，所得阻值應(yīng)為一小。以阻值較小的一次為準(zhǔn)，紅表筆所接的管腳步為負(fù)，黑表筆所接的管腳為正。 2、檢測(cè)性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)量紅外接收二管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二管的好壞。激光二管按照檢測(cè)普通二管正、反向電阻的方法，即可將激光二管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意，由于激光二管的正向壓降比普通二管要大，所以檢測(cè)正向電阻時(shí)，萬(wàn)用表指針公略微向右偏轉(zhuǎn)而已。二管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二管。晶體二管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。二管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二管晶體二管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。

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