IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的**裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功*二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。德國歐派克模塊系列?：FZ200R12KF2、FZ300R12KF2、FZ400R12KF2、FZ800R12KF4、FZ800R16KF4、FZ800R33KF1、FZ1200R12KF4、FZ1200R16KF4、FZ1200R25KF1（KF4）、FZ1200R33KF1、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4、FZ900R16KF1、FZ1000R12KF4、FZ1800R16KF4、FZ2400R12KF4。2U（雙管）：FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF400R16KF4、FF400R33KF1、FF600R12KF4、FF600R16KF4、FF800R12KF4、FF800R17KF6B2。FF100R12KS4?FF150R12KS4?FF200R12KS4?FF300R12KS4??FF900R121T4/FF900R1P4/斬波IGBT：FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1。四單元IGBT：F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2。IGBT：1U（單管）BSM200GA120DN2、BSGA120DN2、BSM400GA120DN2、BSM200GA170DN2、BSGA170DN2、BSM100GAL120D、BSM100GAR120D、BSM150GAL120D、BSM150GAR120D、BSM200GAL120D、BSM200GAR120D、BSM400GA120DN2（DLC）、BSM400GA170DN2（DLC）。2U（雙管）：BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB120DLC、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2（DLC）、BSM50GB100D、BSM50GB120DN2（DLC）、BSM75GB120DN2（DLC）、BSM100GB120DN2K（DLCK）、BSM100GB120DN2（DLC）、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB170DN2（DLC）、BSM200GB170DLC、BSM150GB120DN2、BSM150GB120DLC、BSM150GB120DN11、BSM200GB120DN2（DLC）、BSGB120DN2（DLC）供應(yīng)德國賽米控可控硅，SKKT92/16E西門康模塊SKKT460/22EH,1600-2200v，TC.85°C，0VT.To@T,jmax0.88v.rt@等SKKT57/12E、SKKT57/16E、SKKT72/12E、SKKT72/16E、SKKT91/16E、SKKT106/16E、SKKT92/12E、SKKT106/12E、SKKT106/16E、SKKT132/12E、SKKT132/16E、SKKT162/12E、SKKT162/16E、SKKT210/16E、SKKT250/12E、SKKT250/16E、SKKT253/12E、SKKT253/16E、SKKT330/12E、SKKT330/16E、SKKT570/12E、SKKT570/16E?？山佑唵危瑲g迎致電當(dāng)日下單詢問為準(zhǔn)。本公司供應(yīng)原裝賽米控平板可硅硅，?SKT760參數(shù)1200V，電流760A?TC:85°，TJ=25°V:1.65.tj?°?—40+125度。SKT240/400-18E?,SKT340?電壓?800-1800V，??SKT491，電流490A?電壓400-1800v，SKT551?電流550A?電壓800-1800v，?電流550A?,SKT340/16，SKT160/16E.SKT600，SKT760/16E，SKT1000/16E，SKT1400/16E，SKT1800/16E，SKT2000/16E.?供應(yīng)英國WESTCODE西碼相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二極管系列產(chǎn)品.N105PH12.N105RH12?,N018PH12.N023PH12???N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21??R219SH08-12?R220SH08-12?R270SH04-08?D315CH32-36?R305SH14-21?D350SH24-26可接訂單，標(biāo)價(jià)僅供參考，當(dāng)日詢問下單為準(zhǔn)，蘇州阜晶電子科技有限公司供應(yīng)：英國西碼圓盤式晶閘管?陶瓷二極管系列，IXYS?可控硅大電流模塊。日本sanRex三社可控硅整流模塊。?德國西門康可控硅IGBT模塊?，英飛凌，(優(yōu)佩克)?IGBT，可控硅模塊??.Fairchild?，Sirectifier?，東芝，三菱，富士，達(dá)林頓，GTR，IGBT,?IPM，PIM模塊，快恢復(fù)二極管，整流橋，美國IR公司系列，場(chǎng)效應(yīng)管.可控硅模塊.在使用IGBT模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；?在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；?盡量在底板良好接地的情況下操作。?在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵驅(qū)動(dòng)電壓沒有**過柵大額定電壓，但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵—**間開路時(shí)，若在集電與**間加上電壓，則隨著集電電位的變化，由于集電有漏電流流過，柵電位升高，集電則有電流流過。這時(shí)，如果集電與**間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

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