正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求;高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上,目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用,日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。2013年9月12日 我國(guó)的高壓大功率3300V/50A IGBT(絕緣柵雙型晶體管)芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊通過(guò)鑒定,中國(guó)自此有了完全自主的IGBT“中國(guó)芯”。
原裝日本三社整流模塊 我司提供原裝日本三社電力半導(dǎo)體功率模塊SanReX三社可控硅模塊/PK55FG160系列模塊PK25F160/PK40F160/PK55F160/PK70F160/PK90F160/PK110F160/PK160F160/PK25FG160/PK55FG160/PK70FG160/PK90FG160/PK130F160/PK160F160/PK25FG080/PK40FG080/120/PK55FG080/PK70FG080/PK90FG080/PK110FG080/PK130FG080/PK25FG160/PK55FG160/PK90FG160/PK110FG160/PK200FG160/PK250GB160/PK25HB160/PK55HB160/PK90HB160/PK200160/PK250HB160/SBA500AA160/焊機(jī)模塊產(chǎn)品應(yīng)用各種工業(yè)領(lǐng)域如:USP電源,電焊機(jī),變頻器,靜止無(wú)功補(bǔ)償器,電機(jī)軟啟動(dòng), 工業(yè)感應(yīng)加熱控制設(shè)備,逆變器,斬波器 勵(lì)磁電源,各種整流電源,交直流電機(jī)控制等,標(biāo)價(jià)僅供查詢,如需訂購(gòu)原裝產(chǎn)品敬請(qǐng)用戶致電聯(lián)系為準(zhǔn)。
本公司供應(yīng)原裝賽米控平板可硅硅, SKT760參數(shù)1200V,電流760A TC:85°,TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 電壓 800-1800V, SKT491,電流490A 電壓400-1800v,SKT551 電流550A 電壓800-1800v, 電流550A ,SKT340/16,SKT160/16E.SKT600,SKT760/16E,SKT1000/16E,SKT1400/16E,SKT1800/16E,SKT2000/16E.
供應(yīng)英國(guó)WESTCODE西碼相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二極管系列產(chǎn)品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接訂單,標(biāo)價(jià)僅供參考,當(dāng)日詢問(wèn)下單為準(zhǔn),蘇州阜晶電子科技有限公司供應(yīng):英國(guó)西碼圓盤式晶閘管 陶瓷二極管系列,IXYS 可控硅大電流模塊。日本sanRex三社可控硅整流模塊。 德國(guó)西門康可控硅IGBT模塊 ,英飛凌,(優(yōu)佩克) IGBT,可控硅模塊 .Fairchild ,Sirectifier ,東芝,三菱,富士,達(dá)林頓,GTR,IGBT, IPM,PIM模塊,快恢復(fù)二極管,整流橋,美國(guó)IR公司系列,場(chǎng)效應(yīng)管.可控硅模塊.
供應(yīng)德國(guó)賽米控可控硅,SKKT92/16E西門康模塊SKKT460/22EH,1600-2200v,TC.85°C,0VT.To@T,jmax0.88v.rt@等SKKT57/12E、SKKT57/16E、SKKT72/12E、SKKT72/16E、SKKT91/16E、SKKT106/16E、SKKT92/12E、SKKT106/12E、SKKT106/16E、SKKT132/12E、SKKT132/16E、SKKT162/12E、SKKT162/16E、SKKT210/16E、SKKT250/12E、SKKT250/16E、SKKT253/12E、SKKT253/16E、SKKT330/12E、SKKT330/16E、SKKT570/12E、SKKT570/16E??山佑唵?,歡迎致電當(dāng)日下單詢問(wèn)為準(zhǔn)。
在使用IGBT模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過(guò)柵大額定電壓,但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵—發(fā)射間開路時(shí),若在集電與發(fā)射間加上電壓,則隨著集電電位的變化,由于集電有漏電流流過(guò),柵電位升高,集電則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電與發(fā)射間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
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產(chǎn)品價(jià)格:面議
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產(chǎn)品數(shù)量:9999.00 套產(chǎn)品規(guī)格:不限
信息編號(hào):191515024公司編號(hào):3888940
相關(guān)產(chǎn)品:以色列電容器,英國(guó)西碼可控硅商,湖北臺(tái)基可控硅,代理德國(guó)IGBT模塊,三社可控整流模塊,代理進(jìn)口電位器
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