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    肖特基二管又被稱為肖特基勢壘二管(簡稱 SBD),是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管顯著的特點是反向恢復(fù)時間短,正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。肖特基二管多用作高頻、大電流整流二管、低壓、續(xù)流二管、保護二管、小信號檢波二管、微波通信等電路中作整流二管等處使用。肖特基二管在通信電源、變頻器等中比較常見。肖特基二管在雙型晶體管的開關(guān)電路里面,通過在連接二管來箝位。
    代理肖特基
    肖特基(Schottky)二管,又稱肖特基勢壘二管,是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二管,簡稱肖特基二管。在通信電源、變頻器等中比較常見。而普通二管只能用在低頻整流場合,耐壓可以做得高。
    代理肖特基
    肖特基二管
    肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二管或表面勢壘二管,它是一種熱載流子二管。
    肖特基二管優(yōu)點:SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PC)電路率開關(guān)器件的續(xù)流二管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二管以及PC升壓用600V二管等,只有使用快速恢復(fù)外延二管(RED)和超快速恢復(fù)二管(URD)。URD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上,根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS,由于URD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,從而使SMPS體積和重量增加,不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此,發(fā)展100V以上的高壓SBD,一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點。近幾年,SBD已取得了突破性的進展,150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市,使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功,從而為其應(yīng)用注入了新的生機與活力。
    代理肖特基
    肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。
    肖特基勢壘指具有大的勢壘高度(也就是ΦBn 或者 ΦBp 》》 kT),以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸(施敏, 半導(dǎo)體器件物理與工藝, 第二版, 7.1.2)。
    肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。
    金屬與n型半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導(dǎo)體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面大的區(qū)別在于具有較低的界面電壓,以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導(dǎo)體一側(cè)的勢壘下降;相反,在加反向偏置時,半導(dǎo)體一側(cè)勢壘增高。使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬—半導(dǎo)體接觸均如此)。如果對于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù),以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸,它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙,以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計半導(dǎo)體器件時需要對肖特基效應(yīng)相當熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢壘。當半導(dǎo)體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致。
    肖特基勢壘是什么?具有什么應(yīng)用優(yōu)勢
    優(yōu)點
    由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓,可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個理想二管的地方。在電路設(shè)計中,它們也同時與一般的二管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護電路上的其它器件。
    然而,自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來說能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。
    器件
    肖特基二管,肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二管。
    肖特基勢壘碳納米管場效應(yīng)晶體管ET:金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導(dǎo)致肖特基勢壘,所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二管或者晶體管等等。
    二管和整流器,Diodes Inc
    二管配置單路
    大連續(xù)正向電流500mA
    每片芯片元件數(shù)目1
    峰值反向重復(fù)電壓30V
    安裝類型表面貼裝
    封裝類型SOD-323
    二管類型肖特基
    引腳數(shù)目2
    大正向電壓降450mV
    長度1.8mm
    寬度1.4mm
    高度1.1mm
    高工作溫度+125 °C
    峰值反向電流500?A
    尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm
    峰值非重復(fù)正向浪涌電流2A
    工作溫度-40 °C

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