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    IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進,此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見;
    IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
    IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
    FS30R06XL4IGBT模塊
    U-IGBT
    U(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?,F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品,適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。
    FS30R06XL4IGBT模塊
    NPT-IGBT
    NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可降低生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。
    FS30R06XL4IGBT模塊
    SDB--IGBT
    鑒于目前廠家對IGBT的開發(fā)非常重視,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。
    企業(yè)主要銷售品牌
    包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富
    士、三菱、仙童、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三
    肯、三洋、APT、ST ABB、西碼、CDE等國外知名公司生產(chǎn)的IGBT
    可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、
    驅(qū)動電路、MOSFET 日本TOCOS電位器、美國BOURNS電位器、
    日本光洋旋轉(zhuǎn)編碼器等 。
    
    
    追求卓越,誠信為商是我們企業(yè)宗旨,熱忱歡迎廣大客戶選用我們的產(chǎn)品。我們將以現(xiàn)近的技術(shù)、完美周到的服務,希望同廣大客戶和專家們一道努力,致力于中國電力電子技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展和進步
    
    優(yōu)勢代理產(chǎn)品為大功率平板式晶閘管、可控硅、二極管、IGBT,
    品牌如EUPEC、西門康、西碼、三菱、ABB、三社、IR、 明緯開關(guān)電源等國外功率模塊。
    在國內(nèi)嚴格按照國際標準生產(chǎn):ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶閘管、
    KS型雙向晶閘管、KK型快速晶閘管、KG型高頻晶閘管、橋式整流器、電力模塊、肖特基模塊、
    SF超快恢復二極管、電焊機專用模塊、固態(tài)繼電器、固態(tài)調(diào)壓器、型材散熱器等電力半導體器件。 
    
     
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    產(chǎn)品價格:面議
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    相關(guān)產(chǎn)品:可控硅,IGBT,整流橋,固態(tài)模塊,開關(guān)電源,電位器
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