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    飛鐳激光科技有限公司，專注激光微加工的應(yīng)用創(chuàng)新及研發(fā)。擁有經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，不斷的發(fā)展創(chuàng)新，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的激光應(yīng)用擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。FILASER激光在芯片開封、開帽、decap的應(yīng)用上我們擁有豐富的復(fù)合經(jīng)驗(yàn)，包含了激光開封、激光蝕刻、激光減薄、化學(xué)蝕刻、化學(xué)減薄、等離子蝕刻、我們提供完整的一攬子解決方案。Smart Etch II 助力FA實(shí)驗(yàn)室分析,GLASER是FILASER科技旗下,專注激光微加工應(yīng)用的創(chuàng)新和開發(fā),基于客戶的研究和設(shè)計(jì)開發(fā)的Laser-Decap解決方案。
    失效分析基本概念：進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。失效機(jī)理是指失效的物理化學(xué)過程，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。

    集成電路失效分析步驟：1. 開封前檢查，外觀檢查，X光檢查，掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。2. 開封顯微鏡檢查。3. 電性能分析，缺陷定位技術(shù)、電路分析及微探針分析。4. 物理分析，剝層、聚焦離子束(FIB)，掃描電子顯微鏡(SEM)，透射電子顯微鏡(SEM)、VC定位技術(shù)。

    針對(duì)失效分析企業(yè)該如何做？二、建立金相分析實(shí)驗(yàn)室 如果想要再進(jìn)一步分析，則需要建立一個(gè)金相分析實(shí)驗(yàn)室了。這所需要的設(shè)備為：金相顯微鏡、體視顯微鏡和切割機(jī)、磨拋機(jī)及制樣的耗材了。如果有了這樣的實(shí)驗(yàn)室，除了可以看各種元器件的表面損傷外，還可以通過制作切片的方法觀察內(nèi)部情況。而且實(shí)驗(yàn)室到了這個(gè)層次，不僅僅可以用作元器件的失效分析，也可以用于焊接組裝工藝失效的檢查，比如檢查焊接情況、金屬間化合物的生成情況等。而且這時(shí)還可以用于元器件的初認(rèn)證及進(jìn)行破壞性物理分析。到這個(gè)階段基本上投入就比較大了。如果使用進(jìn)口設(shè)備，那么總價(jià)至少也要60~90萬幣左右。如果使用國產(chǎn)設(shè)備那么投入可以少很多。采用國產(chǎn)設(shè)備，基本上可以在10萬幣以內(nèi)完成。此時(shí)對(duì)人員素質(zhì)上，需要有了解電子元器件材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理學(xué)的人員進(jìn)行相關(guān)工作。對(duì)于集成電路而言，很多失效都是發(fā)生在鍵合系統(tǒng)上的，也就是管腳和集成電路芯片的連接上。用金相切片的方法，很多時(shí)候會(huì)破壞芯片的鍵合系統(tǒng)。這時(shí)候，可能會(huì)用到開封機(jī)來打開集成電路表面的塑料材料。對(duì)于很多企業(yè)而且言，這個(gè)東西就太貴了，往往要幾萬美元。而且還要經(jīng)常更換噴嘴之類昂貴的耗材，所以很多企業(yè)干脆就不買這個(gè)東西，采用手工開封的方法進(jìn)行，youtube上甚至可以看到老外這么干。不過開封需要使用到強(qiáng)酸，有些化學(xué)藥品還屬于國家管制藥品，需要到局去備案。而且實(shí)際實(shí)施時(shí)，不論是用開封機(jī)還是手工開封，都需要在通風(fēng)廚中進(jìn)行，做好個(gè)人防護(hù)。對(duì)于人員而言，除了上述知識(shí)外，要?jiǎng)佑脧?qiáng)腐蝕的化學(xué)藥品，原則上要有“危險(xiǎn)化學(xué)品作業(yè)證”。

    三物理分析1. 聚焦離子束(FIB)，由離子源，離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。利用電鏡將離子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦離子束的細(xì)微精準(zhǔn)切割，結(jié)合掃描電鏡的高分辨率成像，可以很好地解決剖面問題，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時(shí)剖面過程過集成電路愛到的應(yīng)力很小，完整地保存集成電路。2. 掃描電子顯微鏡(SEM)，利用聚焦離子束轟擊器件面表，面產(chǎn)生許多電子信號(hào)，將這些電子信號(hào)放大作為調(diào)制信號(hào)，連接顯示器，可得到器件表面圖像。透射電子顯微鏡(TEM)，分辨率可以達(dá)到0.1nm，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷，更好地滿足集成電器失效分析對(duì)檢測(cè)工具的解析要求。3. VC定位技術(shù)基于SEM或FIB的一次電子束或離子束，在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不現(xiàn)部位有不同電勢(shì)，表現(xiàn)出來不同的明亮對(duì)比，找出導(dǎo)常亮的點(diǎn)從而定位失效點(diǎn)。
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