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    場效應(yīng)管的作用
    1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
    2、場效應(yīng)管的輸入阻抗適合作阻抗變換,常用于放大器的輸入級作阻抗變換。
    3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
    4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
    5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
    國內(nèi)場效應(yīng)管
    場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。 由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單型晶體管。 FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。
    國內(nèi)場效應(yīng)管
    場效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏-源間流經(jīng)溝道的ID, 用柵與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵電壓進行控制”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據(jù)漏-源間所加VDS的電場,源區(qū)域的某些電子被漏拉去,即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。 在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏-源間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏與門下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源的很短部分,這更使電流不能流通。
    國內(nèi)場效應(yīng)管
    場效應(yīng)管(Field Effect Transistor)簡稱FET,是一種利用多數(shù)載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。
    它具有輸入電阻高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。場效應(yīng)管的源和漏分別與柵和源相連,柵通過正反饋控制源信號電流輸出;漏為負(fù)反饋控制源信號電流輸出。當(dāng)外加電壓時,由于多數(shù)載流子的擴散運動產(chǎn)生電場作用在源信號電流上形成反向飽和電流Irm,使漏的反向飽和電流Irf減小到零值而關(guān)斷;同時柵壓升高而使柵上的正向電壓增大從而使漏的正向電壓減小到零值而導(dǎo)通。
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