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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙型三管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
    IGBT模塊是一種集成了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、高電流和高開關(guān)速度的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中,如變頻器、電力逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

    IGBT模塊具有高電壓和高電流承受能力,適用于高功率應(yīng)用,如電力電子設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、逆變器、變頻器等。它們可以實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換和控制,具有較低的開關(guān)損耗和較高的開關(guān)速度。

    IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT芯片的模塊化設(shè)備,常用于高功率電力電子設(shè)備中。IGBT模塊的主要作用是提供高電壓、高電流和高功率的開關(guān)控制。它通常由多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、散熱器和連接器等組成,可以方便地安裝在電力電子設(shè)備中。

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