系統(tǒng)概述                                                                               

雪崩能量測試系統(tǒng)是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、SIC系列MOS管的測試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：泰克示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率器件、IGBT器件過壓、過流保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。該測試系統(tǒng)主要用于IGBT、FRD、MOS、器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試方法參考MIL-STD-750F.3470，測試電流1.0-200A，電壓100-3500V，雪崩能量可達(dá)10J。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理后，將測試數(shù)據(jù)以EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行較終的編輯和打印，同時可觀測雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊測試需求，并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。整體采用輪式機(jī)柜集成測試，具有簡潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡單，移動方便等特點(diǎn)。

技術(shù)指標(biāo)                                                                               
進(jìn)線電壓	AC220V±10%
功率消耗	1.5KW
電源電壓
VDD	10-200V 分辨率1V,誤差3%
雪崩電壓V(BR)DUT	100-3500V 實(shí)測范圍值（根據(jù)客戶要求可定制）
雪崩能量
EAS	實(shí)測1-10J 實(shí)測計(jì)算值
雪崩電流
IAS	1.0-200A 實(shí)測值。分辨率1V,誤差3%（根據(jù)客戶要求可定制測試范圍）
電感 L	0.1-100mH任選測試值，測試過程自動執(zhí)行，誤差5%
雪崩電壓波形	近似方波
脈沖寬度	10uS-10000uS
測試頻率	單次、步進(jìn)
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)	設(shè)備的所有工作程序，工作時序，開關(guān)的動作狀態(tài)，數(shù)據(jù)的采集等均由計(jì)算機(jī)完成。工業(yè)控制機(jī)，具有抗電磁干擾能力強(qiáng)，排風(fēng)量大等特點(diǎn)。

西安智盈電氣科技有限公司地處西安市西咸新區(qū)國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體功率器件的各種電性參數(shù)的測試設(shè)備，測試技術(shù)具有完全的自主知識產(chǎn)權(quán)，公司可根據(jù)用戶和市場需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)生產(chǎn)各種非標(biāo)檢測設(shè)備，同時可為用戶提供測試的服務(wù)及技術(shù)方案、技術(shù)咨詢、專業(yè)培訓(xùn)等。在公司自主研發(fā)生產(chǎn)的系列檢測設(shè)備中，主要涵蓋了二極管、晶閘管、IGBT、MOS等大功率半導(dǎo)體器件的各種性能參數(shù)的測試。諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備、浪涌電流測試設(shè)備、雪崩能量測試設(shè)備、可控硅靜態(tài)參數(shù)綜合測試設(shè)備、IGCT動態(tài)參數(shù)測試、寬禁帶產(chǎn)品的測試等。廣泛應(yīng)用于科研院所、半導(dǎo)體器件研發(fā)、新能源汽車、電力電子、國家電網(wǎng)、鐵路交通、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電及軍工、高校等諸多領(lǐng)域。