晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、 IH以及二極管的VRRM、IRRM參數以及其它半導體器件的相關參數測試的專業(yè)設備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標準。
該測試臺具有漏電流自動保護功能，過電壓自動保護功能。阻斷電壓和漏電流均采用數字表顯示，讀數準確、直觀。門極特性測試儀是專為測試晶閘管的門極參數而設計的，是晶閘管出廠檢測的必備檢測設備。該測試臺具有測試精度高、測試操作方便、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。


技術指標



阻斷特性	輸出峰值漏電流	低檔：1-10mA±3%，分辨率：0.1mA  高檔/High-grade 10-100mA±3%，分辨率：1mA
手動切換高低檔
	輸出峰值電壓	0.20-5.0kV±3%，分辨率：10V
	保護電流	0.2-100mA±5%，面板設定
	測試頻率	50Hz Or 5Hz，手動切換
門極特性	維持電流	1-250mA±2mA、分辨率：1mA
	門極觸發(fā)電壓	高檔：0.20-5.00V±5% 分辨率：0.02V；低檔：0.10-2.50V±5% 分辨率：0.01V；測試頻率：單次: single time
	門極觸發(fā)電流	1-500mA±5% 分辨率：2mA；  1-250mA±5% 分辨率：1mA；測試頻率：單次: single time
	電壓調節(jié)方式	手動切換正反向測試
	維持沖擊	0、20A、30A、40A分四檔供選擇

西安智盈電氣科技有限公司地處西安市西咸新區(qū)國家高新技術開發(fā)區(qū)，公司專注于研發(fā)、生產和銷售半導體功率器件的各種電性參數的測試設備，測試技術具有完全的自主知識產權，公司可根據用戶和市場需求進行定制化設計生產各種非標檢測設備，同時可為用戶提供測試的服務及技術方案、技術咨詢、專業(yè)培訓等。在公司自主研發(fā)生產的系列檢測設備中，主要涵蓋了二極管、晶閘管、IGBT、MOS等大功率半導體器件的各種性能參數的測試。諸如IGBT靜態(tài)參數測試設備、浪涌電流測試設備、雪崩能量測試設備、可控硅靜態(tài)參數綜合測試設備、IGCT動態(tài)參數測試、寬禁帶產品的測試等。廣泛應用于科研院所、半導體器件研發(fā)、新能源汽車、電力電子、國家電網、鐵路交通、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電及軍工、高校等諸多領域。