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    MOS管的工作原理是通過改變金屬柵與半導體襯底之間的電場強度來控制電流的流動。當柵電壓變化時，電場強度也會發(fā)生變化，從而改變導電區(qū)的電荷密度和電阻，從而控制電流的流動。
    CMOS是一種由P型和N型MOSFET組成的互補結構。它由一對互補的MOSFET組成，可以實現(xiàn)低功耗、高集成度和高速度的邏輯電路。

    MOS管具有許多優(yōu)點，如低功耗、高速度、高輸入阻抗、可靠性和可控性。它們廣泛應用于數(shù)字電路、模擬電路、微處理器、存儲器、功率放大器等領域。不同類型和參數(shù)的MOS管適用于不同的應用場景，可以根據(jù)具體需求進行選擇和設計。

    MOS管的工作原理是通過改變柵電上的電場，來控制源漏間的電流。MOS管的主要結構包括：P型襯底、N型溝道、P型源、P型漏、金屬柵和氧化物層。其中，金屬柵和氧化物層一起構成了柵結構，被稱為MOS結。

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