杭州晶閘管 KBB 2900-40
- 作者:上海秦邦電子科技有限公司 2025-01-08 06:53 50
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晶閘管可工作的大頻率由其工作時的電流脈沖寬度,關(guān)斷時間以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq,并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高,元件正向損耗和反向恢復損耗隨之升高,元件通態(tài)電流須降額使用。
晶閘管的使用注意事項
選用可控硅的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
晶閘管損壞原因判斷
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
晶閘管的主要參數(shù)
(1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM
門極開路,重復率為每秒50次,每次持續(xù)時間不大于10ms的斷態(tài)脈沖電壓,UDRM=90%UDSM,UDSM為斷態(tài)不重復峰值電壓。UDSM應比UBO小,所留的裕量由生產(chǎn)廠家決定。
(2)反向重復峰值電壓URRM
其定義同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM為反向不重復峰值電壓。
(3)額定電壓
選UDRM和URRM中較小的值作為額定電壓,選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,應能承受經(jīng)常出現(xiàn)的過電壓。
晶閘管的伏安特性
晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關(guān)系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
當門極G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,同時J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此后,晶閘管會發(fā)生性反向擊穿。
(2) 正向特性
當門極G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉(zhuǎn)折電壓”。
由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應,在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進入N1區(qū),空穴進入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復合。同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復合,雪崩擊穿后,進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉。這樣,在N1區(qū)就有電子積累,在P2區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使P2區(qū)的電位升高,N1區(qū)的電位下降,J2結(jié)變成正偏,只要電流稍有增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負阻特性,見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏,晶閘管便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)——通態(tài),此時,它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,如圖2的BC段。
(3) 觸發(fā)導通
在門極G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區(qū)的空穴進入N2區(qū),N2區(qū)的電子進入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
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