Asymmetric Integrated Gate

Commutated Thyristor

5SHY 35L4520

VDRM = 4500 V 

ITGQM = 4000 A
ITSM = 32×103 A
V(T0) = 1.4 V
rT = 0.325 mΩ
VDC = 2800 V

· High snubberless turn-off rating
· Optimized for medium frequency
· High electromagnetic immunity
· Simple control interface with status feedback
· AC or DC supply voltage
· Option for series connection (contact factory)


所有日立能源 IGCT（集成門極換向晶閘管）都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
IGCT 的開/關(guān)控制單元是組件不可分割的一個元件。它只需要外部電源，通過光纖連接便可方便訪問其控制功能。設(shè)備的控制功耗通常在 10 - 100 W 之間。
IGCT 針對低傳導(dǎo)損耗而優(yōu)化。其典型的開/關(guān)頻率在 500 赫茲范圍內(nèi)。然而，與 GTO 相比，上部開關(guān)頻率僅受到操作熱損耗和系統(tǒng)散熱能力的限制。此功能結(jié)合設(shè)備在開/關(guān)狀態(tài)之間的快速轉(zhuǎn)換，能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)頻率高達(dá) 40 kHz 的短開/關(guān)脈沖串。
IGCT 需要導(dǎo)通保護(hù)網(wǎng)絡(luò)（本質(zhì)上是電感器）來限制電流上升速率。但是，與 GTO 相比，關(guān)斷保護(hù)網(wǎng)絡(luò)是可選的。若以略低的關(guān)斷電流能力為代價，則可以忽略不計(jì)。

武漢科美芯電氣有限公司創(chuàng)立于2016年，位于武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家功率半導(dǎo)體及電力電子產(chǎn)品的專業(yè)代理商。
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主要產(chǎn)品為日立ABB IGBT模塊，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模塊，Lite-On（光寶）光耦驅(qū)動，SCR功率薄膜電容等核心功率器件。
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憑借優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及專業(yè)的服務(wù)，植根于工業(yè)電源，伺服變頻，新能源汽車以及光伏風(fēng)電市場十余年，深得廣大客戶信賴，成為中國電力電子市場重要的供應(yīng)商之一。
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公司秉承著“客戶至上，合作共贏”的企業(yè)宗旨，注重”規(guī)范化“流程管理，堅(jiān)持“員工成長”的理念，努力實(shí)現(xiàn)“致力于成為全球杰出的功率半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商”的企業(yè)愿景。