BFQ591
	BFQ591硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應用于超高頻低噪聲功率管主要應用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于philips公司，現(xiàn)在國內(nèi)也有公司生產(chǎn)。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產(chǎn)技術的基礎上，為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三極管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。
	BFQ591參數(shù)
	類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管 　　集電極-發(fā)射極電壓VCEO：15V
	集電極-基極電壓VCBO:20V           發(fā)射極-基極電壓VEBO:3.0V
	集電極直流電流IC:200mA            總耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
	工作結溫Tj:150℃         貯存溫度Tstg:-65~150℃
	封裝形式：SOT-89           功率特性：中功率        極性：NPN型
	結構：擴散型    材料：硅(Si)        封裝材料：塑料封裝 
	電性能參數(shù)（TA=25℃）：
	擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
	直流放大系數(shù)hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
	集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
	發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
	特征頻率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
	集電極允許電流IC：0.2（A）
	集電極最大允許耗散功率PT：2.25（W）
	插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
	功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
	反饋電容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。

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