供應內蒙古賽特蓄電池-呼和浩特OTP蓄電池-
- 作者:北京騰飛貿易有限公司 2013-08-10 17:09 1460
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從表面結構的觀察表明,在更正的電位下膜是致密的、更結實的以及有較小的完好潔凈的沉積物所構成。這一機理的缺點是硫酸鉛為導電性甚差的物質,離子要跨越這樣的膜層需要很大的電壓降,即使膜的厚度只有10-100Ao,引起電壓降也需要數伏,由此可見僅僅通過固態(tài)機理不可能形成較厚的鈍化層。
按照溶解--沉淀機理,晶核的形成是在緊靠金屬的表面層中,由于達到膜物質(既硫酸鉛)的臨界濃度而形成晶核。晶核的長大經常按三維方式,晶體長大的物質來源是金屬的溶解而形成沉淀。通過沉淀物對金屬表面的覆蓋作用而使電極鈍化。
硫酸鉛鈍化層的厚度依賴于硫酸鉛結構,包括其尺寸,空隙率和孔徑。如果硫酸鉛晶體成長主要是平行于電極表面進行的,而晶粒小、空隙率低、孔徑又小,因此鉛的表面就很快地被覆蓋,形成的硫酸鉛鈍化層比較薄。相反,硫酸鉛晶體垂直于電極表面成長的速度相對較快,也就會有較大的孔和較高的空隙率,使硫酸鉛鈍化層變厚。硫酸鉛晶體在兩個方向上的成長速度之比與硫酸鉛的溶解度和鉛表面附近的硫酸鉛溶液的過飽和度有關,有利于高過飽和度的條件,諸如高電流密度、低溫度和硫酸濃度較高,都會促使生成比較薄的硫酸鉛鈍化層,因而使鉛電極的容量降低。
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