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制作工藝大多數(shù)線性集成電路采用標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝制造。為獲得高性能電路，有時(shí)在標(biāo)準(zhǔn)工藝基礎(chǔ)上作某些修改或采取附加的制造工序，以便在同一芯片上制作不同性能的各種元件和器件。 
雙極-場(chǎng)效應(yīng)相容技術(shù) 在雙極型芯片上制作高性能結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的技術(shù)。當(dāng)芯片上NPN管形成后,分別用兩次離子注入技術(shù)摻雜形成低濃度P-型溝道和高濃度N+型柵區(qū)（圖1 
  線性集成電路
）。其柵-漏擊穿電壓可達(dá)50～60伏,夾斷電壓可控制在1伏左右。 
超增益晶體管 　共發(fā)射極電流增益高達(dá)1000～5000的NPN晶體管。用離子注入技術(shù)制作基區(qū),基區(qū)摻雜濃度比通常NPN管基區(qū)低一個(gè)數(shù)量級(jí)，基區(qū)厚度也比通常NPN管基區(qū)更?。▓D2）。 
亞表面擊穿二極管 　通常的擊穿二極管利用 NPN晶體管的eb結(jié)，其擊穿現(xiàn)象發(fā)生在結(jié)表面。而亞表面擊穿二極管則是在N+型發(fā)射區(qū)下用離子注入法制作一個(gè)高濃度P+型層,在表面下方深處形成一個(gè)N+-P+結(jié)（圖3）。這種晶體管的擊穿電壓低于表面結(jié)的擊穿電壓，擊穿過程不受表面狀況的影響，噪音低，并且具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。 
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編輯本段高頻工藝采用標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝制造的 NPN晶體管，其特征頻率一般低于1000兆赫 
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。要求高頻和高速性能時(shí)則采用微細(xì)加工、薄層外延和淺結(jié)技術(shù)等，器件的特征頻率可達(dá)3000～5000兆赫。典型的高頻工藝如圖4。 
高耐壓技術(shù) 　線性雙極型工藝通常可達(dá)到50～60伏的耐壓性能。若要獲得近100伏或更高的耐壓性能,可采取如下措施：①增加N型外延層厚度（如 20微米以上），以提高NPN管的擊穿電壓；②增加氧化層厚度,防止帶負(fù)電位的金屬互連線在跨越橫向PNP晶體管時(shí)產(chǎn)生寄生MOS管效應(yīng)；③用場(chǎng)電極保護(hù)隔離結(jié)表面，以避免電場(chǎng)過于集中，導(dǎo)致?lián)舸╇妷航档停▓D5）。 
線性CMOS技術(shù) 　這是一種十分復(fù)雜的通用性兼容技術(shù)，能同時(shí)制 
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作各種雙極型器件和CMOS器件（見互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）。用這種技術(shù)可將高性能線性電路與高密度的高速邏輯電路結(jié)合在一個(gè)芯片上。一種用難熔金屬鉬作為柵極材料的線性CMOS工藝，能把P溝道與N溝道MOS器件制作在線性雙極型芯片的N型外延層上，僅須用10次光刻,它具有鋁與鉬兩層互連線。P溝道與N溝道器件可單獨(dú)或共用一個(gè)N區(qū)（圖6）。 
精密元件 　無源元件電阻器通常采用擴(kuò)散層或離子注入層形成的半導(dǎo)體電阻器。在硅片上制作合金薄膜電阻器，可獲得更好的溫度穩(wěn)定性。然而，兩者的阻值精度大致都不超過 1%。高精度電阻器需要借助各種阻值修正技術(shù)而獲得。通常采用直徑大約10微米的脈沖激光束，修正方法有熔斷互連線法（圖7a）和熔斷擴(kuò)散層法（圖7b）。 
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
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