SSEC 3300系列晶圓濕法工藝設(shè)備
 
 SSEC的3300系列單片式晶圓清洗和處理工藝設(shè)備所呈現(xiàn)的技術(shù),不但可以達(dá)到你今天的生產(chǎn)目標(biāo),并且可以滿(mǎn)足未來(lái)多年以后要求.
 已經(jīng)具有44年歷史的SSEC公司已經(jīng)成長(zhǎng)為一個(gè)垂直整合技術(shù)的組織，可以滿(mǎn)足你在單片晶圓濕法處理系統(tǒng)的各種需求。 系統(tǒng)是根據(jù)由內(nèi)而外的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的，現(xiàn)成的擱架功能。這樣的集成技術(shù)方法能夠使一個(gè)靈活的平臺(tái)，可以準(zhǔn)確的配置客戶(hù)的需求。客戶(hù)得益于最低的購(gòu)置成本、最小的占地面積、最少的物料和資源使用。
 
 SSEC公司的3300系統(tǒng)可以完全按照客戶(hù)的工藝和生產(chǎn)要求配置，利用成熟的技術(shù)。無(wú)論你的工藝需要多步或帶有濕晶片的傳輸串行工藝、還是并行工藝，SSEC都有完整的方案來(lái)滿(mǎn)足你的需求。標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)可以提供1個(gè)到12個(gè)工藝站。
 SSEC公司專(zhuān)注于濕法工藝設(shè)備開(kāi)發(fā)，基于工藝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足您濕法工藝方面所需系列工藝設(shè)備。包括SSEC公司3300系列機(jī)臺(tái)用于清洗、刻蝕、剝離以及顯影的工藝開(kāi)發(fā)。
 
 特點(diǎn)：
 * 高良品率,具有領(lǐng)先技術(shù)的高性能的加工工藝能夠與你一同成長(zhǎng).
 * 高可靠性的系統(tǒng),配置了常用的生產(chǎn)模塊.
 * 低購(gòu)置成本,包括單位占地面積的最高產(chǎn)量.
 * 所有系統(tǒng)符合SEMI S2-0706E安全標(biāo)準(zhǔn),SEMI S8-0705E人體工程學(xué)標(biāo)準(zhǔn),以及ETL和CE要求.
 * 我們所有系統(tǒng)在數(shù)字化方面的支持和設(shè)計(jì)都向后兼容電子系統(tǒng)和軟件.
 
 
 鑄造工藝腔室
 性能優(yōu)越并且多年無(wú)故障運(yùn)行，所有 SSEC公司的旋轉(zhuǎn)工藝腔室都是鑄造的。最終的設(shè)備每一個(gè)腔室都是特別配置的，都會(huì)完成壓力測(cè)試。標(biāo)準(zhǔn)配置用于水清洗、加熱溶液、濕法刻蝕，并且提供惰性環(huán)境。
 
 超凈化工藝腔室
 對(duì)于垂直疊加配置的清洗室可以是密封的或開(kāi)放的 ，直接在ULPA過(guò)濾和空氣離子發(fā)生器下面。所有腔室空氣補(bǔ)充都是有電子監(jiān)控的，并且可以由獨(dú)立的工藝步驟控制。
 
 濕法刻蝕工藝腔室
 濕法刻蝕工藝腔室可以密封用于噴霧刻蝕和垂直疊加配置。敞開(kāi)的刻蝕腔是直接配置在ULPA過(guò)濾和空氣離子發(fā)生器下面用于關(guān)鍵的刻蝕應(yīng)用。排氣流量和腔室的溫度有電子監(jiān)控。所有帶有SSEC的WaferChek系統(tǒng)配置的濕法刻蝕腔室均可用于原地的自適應(yīng)工藝控制。
 
 惰性氣體溶液工藝腔室
 對(duì)于加熱溶液工藝，惰性環(huán)境腔室是完全密封的并且回填氮?dú)狻?氮?dú)猸h(huán)境可以降低溶液的暴露并延長(zhǎng)再循環(huán)溶液壽命，是為了最低的運(yùn)行成本。
 
 
 清潔工藝
 99% 顆粒去除效率
 無(wú)損傷清潔
 
 SSEC清潔工藝設(shè)備配置提供了機(jī)械和化學(xué)清潔工具的選擇以 達(dá)到最大的顆粒去除效率。機(jī)載的閉環(huán)體積化學(xué)混合允許根據(jù)清洗程序和限制條件編輯稀釋化學(xué)溶液，達(dá)到有限的刻蝕要求。
 這些系統(tǒng)符合半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖的規(guī)定，達(dá)到清潔表面同時(shí)控制材料損失和表面損傷。
 全面的清潔工具
 
 SSEC技術(shù)已經(jīng)是經(jīng)過(guò)證明的, 有效的清潔工具：
 * 高速?lài)娚鋵?shí)時(shí)控制化學(xué)溶液液滴尺寸和速度，用于88、65和45nm溝槽和超微顆粒的清潔。
 * 單面旋轉(zhuǎn)PVA海綿刷，通過(guò)穿透刷子的化學(xué)試劑進(jìn)行清潔， 并實(shí)時(shí)對(duì)整個(gè)晶圓表面通過(guò)嵌入式傳感器上的反饋進(jìn)行壓力控制。標(biāo)準(zhǔn)的刷盤(pán)利用伺服驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)裝置，最高達(dá)1,000 RPM。
 * 獲得專(zhuān)利的，雙面PVA海綿刷，通過(guò)穿透刷子的化學(xué)試劑分配進(jìn)行清潔，刷子擠注壓力可編程，RPM旋轉(zhuǎn)控制用于三面清潔。
 * 新型帶有三角石英換能器的三音速單晶圓超聲波清洗，每一個(gè)都具有能量反饋，用于高能量的可編輯的工作周期，以及用于無(wú)損清洗的短工作周期。
 * 排除邊緣接觸主軸工具用于雙面清洗。氣密主軸工具用于單面清洗。
 
 具有程序驅(qū)動(dòng)化學(xué)混合液的先進(jìn)的清潔
 
 機(jī)載電腦編程使用點(diǎn)的化學(xué)混合，SSEC的3300工藝設(shè)備運(yùn)用清洗方案的全部工藝控制進(jìn)行最稀的溶液和最低的刻蝕率。這些系統(tǒng)頻繁的使用比在制造商處預(yù)混合溶液得到更精確的稀釋溶液， 無(wú)論是濃縮的或混合為百萬(wàn)分之幾。
 SSEC提供各種各樣的閉環(huán)，根據(jù)應(yīng)用選擇的容積化學(xué)混合系統(tǒng)。1:1:100 溶液到濃縮溶液的混合,SC-1都可以提供標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)，在線(xiàn)注入系統(tǒng)實(shí)時(shí)注入化學(xué)試劑流量可以最小到0.1ml的增量，都是標(biāo)準(zhǔn)的特氟隆可浸濕表面。
 
 原位工藝后清潔
 
 原位刻蝕后清潔實(shí)現(xiàn)了無(wú)化學(xué)交叉污染。SSEC在專(zhuān)利申請(qǐng)中的 “化學(xué)品收集環(huán)”在當(dāng)不需要收集化學(xué)品用于再循環(huán)使用時(shí)是機(jī)械關(guān)閉密封的。再循環(huán)方案的完整性是為了保持最潔凈的結(jié)果、最長(zhǎng)的壽命、最低的成本。
 
 
 刻蝕處理
 
 統(tǒng)一的、選擇性濕法刻蝕
 
 SSEC的單片晶圓濕法刻蝕技術(shù)使統(tǒng)一的選擇性刻蝕在多工藝等級(jí)上成為可能，沒(méi)有交叉污染?？涛g一致性?xún)?yōu)于通常的 1% 。無(wú)論是用于先進(jìn)的封裝或是BEO濕法刻蝕，SSEC的3300系統(tǒng)都將為你提供以最低生產(chǎn)成本實(shí)現(xiàn)最高良品率工藝。
 當(dāng)你需要在活躍面、背面、和/或斜面的區(qū)域刻蝕結(jié)構(gòu)或薄膜時(shí)，對(duì)于你的工藝，SSEC的3300系統(tǒng)都有已經(jīng)證明過(guò)的技術(shù)方案。計(jì)算機(jī)編程，程序驅(qū)動(dòng)化學(xué)溶液流率、噴射壓力、溫度、和化學(xué)配方都是標(biāo)準(zhǔn)的。每一個(gè)腔體可以配置排水通道，這包括SSEC公司獨(dú)有的原位化學(xué)收集環(huán)(專(zhuān)利申請(qǐng)中)，不需要特殊的旋轉(zhuǎn)速度或排放。每一個(gè)工藝腔體可以配置多個(gè)排水路徑,包括多個(gè)化學(xué)循環(huán)系統(tǒng)。
 
 WaferChek原位自適應(yīng)過(guò)程控制
 
 SSEC公司的每一站都包含WaferChek 原位過(guò)程監(jiān)視器，這個(gè)監(jiān)視器結(jié)合了一個(gè)彩色CCD和軟件，可以分析全彩色光譜來(lái)確?？涛g條件對(duì)于每一個(gè)獨(dú)立的晶圓都是重復(fù)的。無(wú)論是化學(xué)濃度、溫度、晶圓來(lái)料特性有波動(dòng)時(shí)，自適應(yīng)過(guò)程控制保持了相同的輸出。以實(shí)際的工藝數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，確保你的晶圓被正確的刻蝕。
 
 晶圓背面處理
 SSEC單片式晶圓設(shè)備對(duì)晶圓單面處理時(shí)，可以對(duì)另一面進(jìn)行防止溶液、蒸汽和化學(xué)接觸的全面保護(hù)。應(yīng)用包括活躍面濕法刻蝕、背面薄膜去除、斜面清潔和晶圓減薄。
 
 單面氣密封主軸工具是根據(jù)應(yīng)用需要來(lái)配置的。對(duì)于背面和斜面清潔 ，專(zhuān)用尺寸的工具是用于沒(méi)有有效區(qū)域接觸而配置的。對(duì)于活躍表面的刻蝕和晶圓減薄，能夠配置用于多種晶圓尺寸的氣密封主軸工具以及晶圓尺寸軟件選擇，使用SSEC的視覺(jué)處理用于晶圓對(duì)正。
 根據(jù)應(yīng)用來(lái)配置用于晶圓背面處理的自動(dòng)化方案。對(duì)于背面清洗，會(huì)配置活躍邊緣抓緊裝置。對(duì)于薄晶圓的減薄，利用帶有特別的支撐配置真空傳送裝置。
 
 
 剝離處理
 
 干入/干出浸入和單晶圓溶液處理
 
 SSEC獨(dú)特的浸入和單晶圓噴射技術(shù)的結(jié)合使得設(shè)備更可靠，能經(jīng)濟(jì)的使用存儲(chǔ)的溶液，符合SEMI安全規(guī)定，干入/干出溶液處理器。帶有分開(kāi)的管道系統(tǒng)用于浸入和噴射站，在工藝站之間溶液浸濕晶圓的傳送，僅僅使用很少量的溶液就可以獲得卓越的剝離和清潔工藝的結(jié)果。
 
 最好的兩種溶液技術(shù)的結(jié)合
 
 滿(mǎn)足安全和經(jīng)濟(jì)的溶液處理需要：
 
 * 在氮?dú)獗Ｗo(hù)浸入模塊兒中浸入溶液處理具有獨(dú)立的晶圓時(shí)間控制；分開(kāi)的溶液循環(huán)和溫度控制。
 * 單片晶圓溶液處理在氮?dú)獗Ｗo(hù)模塊兒中具有可編輯的上面和下面的分配器；分開(kāi)的溶液循環(huán)和溫度控制。
 * 單晶圓溶液分配，包括高壓風(fēng)扇和針嘴噴射、高速度噴射擦洗、尼龍毛刷擦洗、超聲波擦洗、完整的可編輯的表面覆蓋。
 
 高壓流量控制
 
 超聲波擦洗，完整的可編輯的表面覆蓋。
 * 機(jī)械手被設(shè)計(jì)用來(lái)傳送溶液浸濕的晶圓，精密度傳送裝置用于濕的或干的晶圓。
 * 單獨(dú)的最終清潔系統(tǒng)，IPA沖洗DI沖洗的原位分離，干燥處理。
 * 符合干入/干出的要求，符合 SEMI S2-0706E安全和CE規(guī)定。
 
 鍍層和生長(zhǎng)加工
 
 光刻集群應(yīng)用-規(guī)格 
 
 使用標(biāo)準(zhǔn)的成型組件，SSEC配置的鍍層和生長(zhǎng)工藝設(shè)備來(lái)精確地滿(mǎn)足你的工藝和生產(chǎn)需求。無(wú)論你需要的是單獨(dú)地鍍層工藝設(shè)備還是鍍層和生長(zhǎng)工藝設(shè)備一體，SSEC提供的機(jī)械手按照你程序定義的各種順序來(lái)操作。
 
 * 實(shí)時(shí)主軸馬達(dá)控制，包括加速率和主軸速度用于均一的膜厚控制。
 * 視覺(jué)系統(tǒng)用于清潔、非接觸式晶圓對(duì)正。
 * 電腦界面控制尺寸更改；不需要更換工具。
 * 容積泵根據(jù)各工藝步驟包括噴淋、吸收和填裝來(lái)控制馬達(dá)的過(guò)速、加速和減速。
 * 尖銳的易碎的EBR處理精密的機(jī)動(dòng)的噴淋、高度和位置控制。
 * 涂料器杯帶有可編輯的氣流控制和杯的EBR噴霧清潔。