SKW20N60HS基本參數(shù)，現(xiàn)貨報(bào)價(jià)

SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT單管特點(diǎn):
●NPT-IGBT 芯片技術(shù)
●比上一代降低30％的Eoff，
●短路承受時(shí)間- 10 us
●參數(shù)離散性小，易于批量生產(chǎn)
●開關(guān)速度快，高頻特性好
●正溫度系數(shù)飽和壓降，易于并聯(lián)，具有類MOSFET特性
●可替代許多MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
●拖尾電流小且隨溫度增加不明顯增加，高溫特性優(yōu)異
●無鎖定效應(yīng)，過載能力強(qiáng)，可靠性高
●無鉛電鍍引腳;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
●根據(jù)JEDEC1合格為目標(biāo)
SKW20N60HS/ K20N60HS 600V IGBT單管參數(shù)說明：
Type         VCE    IC     Eoff)     Tj      Package       Marking
SKW20N60HS  600V    20    240μJ    150℃   PG-TO-247-3    K20N60HS


FF400R07KE4     FS10R06VE3  FP40R12KT3  FZ3600R17HP4   FF225R17ME3  FF100R12KS4  
FF800R17KE3     SKW20N60HS

一、600V系列
    兩單元：BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC
    BSM200GB60DLC BSM300GB60DLC FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3
    FF200R06ME3 FF300R06ME3 FF400R06ME3 FF450R06ME3 FF600R06ME3
    4單元（H橋）F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4 F4-30R06W1E3
    F4-50R06W1E3 F4-75R06W1E3
    6單元（三相橋）FS20R06W1E3 FS30R06W1E3 FS50R06W1E3 FS10R06VL4_B2
    FS15R06VL4_B2 FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4
    FS6R06VE3_B2 FS30R06XE3 FS50R06YE3 FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3
    FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 FS200R06KE3 FS50R06YL4 BSM30GD60DLC
    BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC 

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