典型關(guān)斷延遲時(shí)間 32 ns 
 典型接通延遲時(shí)間 4.5 ns 
 典型柵極電荷@Vgs 25 nC V @ 10 
 典型輸入電容值@Vds 330 pF V @ 25 
 安裝類型 通孔 
 寬度 2.3mm 
 封裝類型 IPAK 
 尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm 
 引腳數(shù)目 3 
 最低工作溫度 -55 °C 
 最大功率耗散 48 W 
 最大柵源電壓 ±20 V 
 最大漏源電壓 100 V 
 最大漏源電阻值 0.21 Ω 
 最大連續(xù)漏極電流 9.4 A 
 最高工作溫度 +175 °C 
 每片芯片元件數(shù)目 1 
 類別 功率 MOSFET 
 通道模式 增強(qiáng) 
 通道類型 N 
 配置 單 
 長度 6.6mm 
 高度 6.1mm 

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