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      磷化銦半導(dǎo)體襯底材料具有電子極限漂移速度高、耐輻射性能好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖通訊、光電集成電路、軍用通訊、紅外光學(xué)、激光與光子探測(cè)器和功率器件等半導(dǎo)體領(lǐng)域。
包裝：開盒即用， 100級(jí)潔凈室真空沖氮包裝,25片卡盒/單片幣式
順豐快遞送達(dá)。
摻雜：摻硫/S
尺寸：3英寸/76.2±0.4mm
厚度：650±25μm
晶片單面拋光（如需雙面拋光需另外加工）
 

 
2英寸與3英寸對(duì)比圖
 
 
3英寸摻鐵/摻硫磷化銦單晶片

 
 
如若有其他要求或問題，可聯(lián)系客服，亦可撥打：全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線400-7728-238


尺寸 : 3英寸 ;
用途 : 光纖通訊、光電集成電路、軍用通訊、紅外光學(xué)、激光與光子探測(cè)器和功率器件等半導(dǎo)體襯底材料 ;
特性 : 大直徑低位錯(cuò) 摻硫 ;
種類 : 化合物半導(dǎo)體 ;
加工定制 : 是 ;