? ? ?就清洗媒介來(lái)說(shuō),晶圓清洗機(jī),濕法清洗仍然是現(xiàn)代先進(jìn)晶圓清洗工藝的主力。雖然Si技術(shù)中的清洗化學(xué)材料與最初RCA的配方相差不大,但整體工藝最明顯的改變包括:采用了非常稀釋的溶液;簡(jiǎn)化工藝;廣泛使用臭氧水。
? ? ? 在清洗工藝中,去除刻蝕后的光刻膠殘?jiān)前雽?dǎo)體行業(yè)的一大技術(shù)難點(diǎn),尤其是經(jīng)過(guò)高濃度離子注入的光刻膠,半導(dǎo)體清洗機(jī),注入的陽(yáng)離子和光刻膠中的碳形成很強(qiáng)的化學(xué)鍵,使光刻膠表面高度交聯(lián),清洗機(jī),形成一層高度致密、耐腐蝕的碳化硬殼,大大增加了光刻膠的去除難度。
? ? ??在批次清洗工藝還是在單晶圓清洗工藝中,傳統(tǒng)的浸沒(méi)清洗仍起主導(dǎo)作用。在單晶圓清洗工藝時(shí),這一趨勢(shì)由于太陽(yáng)電池清洗技術(shù)的需求而強(qiáng)化。該技術(shù)中,由于被加工襯底的剪切數(shù)目(shear number),可選用批次加工方法。可以使選擇氣相清洗化學(xué)過(guò)程與批次加工兼容。但同時(shí),單晶圓清洗方法(如旋轉(zhuǎn)清洗)正推進(jìn)到高端應(yīng)用領(lǐng)域。
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