中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)須自主**

目前，**存儲芯片技術(shù)主要由Samsung、SK Hynix、美光、東芝、Intel等**大廠壟斷。

　　閃存方面，隨著2D-NAND制程工藝來到摩爾定律的極限，各成員廠商紛紛開始著手開發(fā)3D-NAND技術(shù)，三星32層與48層3D V-NAND產(chǎn)品與美光英特爾32層 3D NAND產(chǎn)品于2015年底已正式投放市場，東芝、SanDisk、SK Hynix前期在邁入3D-NAND主流廠商的道路上稍顯遲鈍，不過在今年7月份，東芝和SanDisk同時(shí)宣布已研發(fā)出64層的3D-NAND Flash制程技術(shù)，并計(jì)劃采用該技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品在2017年上半年進(jìn)行量產(chǎn)，隨后三星也立即宣布于2016年底量產(chǎn)4GV-NAND(64層)產(chǎn)品。

　　在3D-NAND技術(shù)領(lǐng)域，各廠商都正處于起跑階段，距離還未*被拉開，這對于大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是有利因素。

　　可以預(yù)見，廢舊芯片回收價(jià)格表，中國在布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)的步伐將會越來越快，大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)的“炮臺”已經(jīng)搭起，機(jī)頂盒舊芯片回收廠家，“彈.藥”及所有準(zhǔn)備工作正緊張有序開展，一旦中國擁有**Flash和DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)能力并實(shí)現(xiàn)自給自足時(shí)，**存儲芯片的供需體系將被重新洗牌，相信對世界幾大寡頭來說勢必會是一場血雨腥風(fēng)。

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較復(fù)雜的芯片（如：CPU芯片、顯卡芯片等）生產(chǎn)過程

1.將高純的硅晶圓，切成薄片；2.在每一個(gè)切片表面生成一層二氧化硅；3.在二氧化硅層上覆蓋一個(gè)感光層，進(jìn)行光刻蝕；4.添加另一層二氧化硅，然后光刻一次，如此添加多層；5.整片的晶圓被切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的芯片單元，芯片回收，進(jìn)行封裝。

一個(gè)是電源燈（綠色），一個(gè)是硬盤燈（紅色），你的電腦開機(jī)，綠色燈就亮了，紅的燈是一閃一閃的，要是你的紅色燈長亮，那就是硬盤燈插反了。

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