99.99%二氧化碲（TeO2）粉末(導(dǎo)電銀漿,光亮劑專用）
1，物理特性：
原子量: 159.60
密度（g/mL,25/4℃）: ρ=5.67 
熔點(diǎn): 733 ℃ 
沸點(diǎn): 1245℃；
2,  技術(shù)對(duì)接：鉛鋅礦，銅礦的陽(yáng)極泥–富集 - 電解–真空蒸餾– 全CVD化學(xué)氣相沉積工藝：Te+O2=TeO2(不含任何酸根離子）; *酸根離子的危害：1），對(duì)設(shè)備的緩慢腐蝕；2）影響導(dǎo)電率--干擾；
 
3，檢驗(yàn)： GDMS （99.99%純度：所有的雜質(zhì)元素低于100ppm） 
          XRD：（主峰完全對(duì)稱）
          激光粒度分析儀：（粒徑：D50=1-5微米）；
3，服務(wù)：提供MSDS及實(shí)用的防護(hù)措施（1，當(dāng)客戶不小心吸入時(shí)，第一時(shí)間能得到最有效的解決方案；2，重金屬會(huì)在人體里緩慢積累，從事化工或者金屬類的客戶，我們會(huì)告知如何防護(hù)）；提供材料的應(yīng)用解決方案；提供免費(fèi)樣品。
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12年來(lái)，樂(lè)山凱亞達(dá)光電科技有限公司一直專注于高純金屬，半導(dǎo)體化合物的研發(fā)和生產(chǎn)。企業(yè)座落于樂(lè)山高新區(qū)，2006年被認(rèn)定為高新技術(shù)企業(yè)，同年銻化銦單晶的研制獲得樂(lè)山市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)。公司12年來(lái)共研制開發(fā)出40余項(xiàng)半導(dǎo)體化合物材料：
碲系化合物：
碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)，碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)...
硫系化合物：
三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3)，硫化亞銅（Cu2S）...
無(wú)氧硒及硒系化合物:
三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3)...
氯系化合物：
無(wú)水三氯化銦(InCl3)，無(wú)水三氯化鎵(GaCl3)，無(wú)水氯化亞銦(InCl)...
氧系化合物：
4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3)，4N-5N氧化鋅(ZnO)，5N-6N 三氧化二銦(In2O3)，5N 三氧化二鉍(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二銻（Sb2O3）...
銅銦鎵硒（CIGS）系列材料.
靶材：氧化鋅靶，氧化鋅鋁靶，銅銦鎵硒靶，三硒化二銦靶，硒化亞銅靶材...
公司現(xiàn)有工藝及設(shè)備：
1，電解裝置4套：回收電解銅，電解鉛鋅礦的陽(yáng)極泥；高純銦的電解，特別是除去里面的雜質(zhì)錫。
2，真空蒸餾裝置12套：根據(jù)雜質(zhì)不同的飽和蒸氣壓，采用真空蒸餾的方法將其去除。
3，區(qū)域熔煉爐10套。
4，單間提拉爐12套。
5，CVD 化學(xué)氣相沉積設(shè)備3套。
6，PVD裝置2套。
7，真空熔煉爐15套。
8，THM 移動(dòng)式加熱設(shè)備。
9，氯化爐3套（高純銻專用），氫化還原爐3套。
公司現(xiàn)有的檢測(cè)設(shè)備：
1，ICP-MS;ICP-OES (適用范圍：檢測(cè)<99.999% 純度的產(chǎn)品）
2，XRD （化合物的相結(jié)構(gòu)分析）
3，激光粒度分析儀（粉末粒徑）
4，對(duì)于99.9999%以上的產(chǎn)品，提供GDMS 外檢指標(biāo)（送EAG外檢）