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    對(duì)單向可控硅來說，當(dāng)柵極電壓達(dá)到門限值VGT且柵電流達(dá)到門限值IGT時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)觸發(fā)電流的脈寬較窄時(shí)，則應(yīng)提高觸發(fā)電平。當(dāng)負(fù)載電流超過單向可控硅的閂電流IL時(shí)，即使此時(shí)的柵電流減為零，可控硅仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)。為了保證電路在環(huán)境相當(dāng)?shù)蜏囟惹闆r下也能正常工作，則要求驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠高的電壓、電流及占
空比的控制信號(hào)。
    高靈敏度的單向可控硅，會(huì)在高溫下因陽(yáng)－陰極間的漏電流而誤觸發(fā)，應(yīng)確保不超過TJMAX。為了可靠地關(guān)斷單向可控硅，負(fù)載電流必須降到低于保持電流IH，并維持一定的時(shí)間。
    標(biāo)準(zhǔn)的雙向可控硅既可被柵極的正向電流觸發(fā)，也能被柵極的反向電流觸發(fā)，它可以在四個(gè)象限內(nèi)導(dǎo)通。在負(fù)載電流為零時(shí)，相當(dāng)好用反相的直流或單極性脈沖的（柵極）電流觸發(fā)。
    在通常的交流相位控制電路中，如電燈調(diào)光器和家用馬達(dá)調(diào)速器等，可控硅G與MT2的極性要一致，在設(shè)計(jì)可控硅時(shí)要避免在3＋區(qū)域內(nèi)工作（MT2為－，G為＋）。

值得注意的是，雙向可控硅可能在一些意想不到的情況下觸發(fā)導(dǎo)通，其后果有些問題不大，而有些則有潛在的破壞性。

1.柵極上的噪聲電平
  在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。然后在G與MT1之間加一個(gè)1kΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nF的電容，來濾掉高頻噪聲。

2.關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
  當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅回到導(dǎo)通狀態(tài)。
  為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100Ω，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。

3.關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況相當(dāng)易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載
回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

4.關(guān)于可控硅開路電壓變化率dVD／dt在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制dVD／dt，或可采用高速可控硅。

5.關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控硅兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的相當(dāng)大值，此時(shí)可控硅的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅上。

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