(3)MOS控制晶閘管 (MCT)
利用晶閘管高電壓、大電流技術(shù)與 MOSFET控制技術(shù)的結(jié)合,研制成功了 MOS晶閘
管復(fù)合器件,MOS控制晶閘管 (MCT)。MCT的典型結(jié)構(gòu)是在SCR結(jié)構(gòu)中集成了一對
MOSFET,柯坪高壓空壓機,通過 MOSFET來開通和關(guān)斷晶閘管。MCT具有電壓高、電流容量大的特點,
阻斷電壓已達3000V,峰值電流達1000A,大可判斷電流密度為6000A/cm
2,并且開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小,是一種很有前途的大功率開關(guān)器件。
這種變頻器采用開環(huán)控制方式,中壓高壓空壓機,不能達到較高的控制性能,高壓空壓機配件,而且在低頻時,由于輸出電
壓較低,轉(zhuǎn)矩受定子電阻壓降的影響比較顯著,使輸出轉(zhuǎn)矩減小,因此必須進行轉(zhuǎn)矩補
償,以改變低頻轉(zhuǎn)矩特性。另外,無油高壓空壓機,其機械特性終究沒有直流電動機硬,動態(tài)轉(zhuǎn)矩能力和靜態(tài)
調(diào)速性能都還不盡如人意,且系統(tǒng)性能不高、控制曲線會隨負(fù)載的變化而變化,轉(zhuǎn)矩響應(yīng)
慢、電機轉(zhuǎn)矩利用率不高,低速時因定子電阻和逆變器死區(qū)效應(yīng)的存在而性能下降,穩(wěn)定性
變差等。
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