碳化硅的電阻多少

金剛砂導電性能在不同的溫度下是不同的，在一定溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。高純度碳化硅的電阻率隨溫度變化的情況。

工業(yè)碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復雜。溫度較低時溫度上升電阻下降，浙江碳化硅，約在1500℃時電阻開始逐漸增大，2600℃時接近常溫下的電阻，之后隨溫度升高電阻又趨于增大。碳化硅的這種導電性能對于冶煉工藝有相當?shù)挠绊憽?/p>

常溫下，金剛砂是一種半導體，導電性能在導體和絕緣體之間，電阻率在102~1012Ω．cm范圍內(nèi)，并隨晶體中引入雜質(zhì)的種類和數(shù)量的不同而變化。對碳化硅導電性能影響雜質(zhì)是鋁、氮和硼。含鋁較多的碳化硅導電性能顯著增大。

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超細碳化硅粉體的制備近年來，在高新技術(shù)領域發(fā)展起來的超細碳化硅粉體制備的方法，主要歸為三種：固相法、液相法和氣相法。

a 固相法主要包括以下幾種：

碳熱還原法、Si與C直接反應法（包括高溫自蔓延合成法和機械合金化法）。

b 液相法主要包括以下幾種：

溶膠—凝膠法、聚合物熱分解法和溶劑熱法。

c 氣相法主要包括以下幾種：

氣相反應沉積法（CVD）、等離子體法、激光誘導氣相法。

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