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    SRAM存儲器不需要通過刷新電路就可以保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM存儲器需要一定的時間不斷刷新充電,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)會丟失,從而可以看出SRAM芯片的性能比較高,功耗也相對較小,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。
    Density	Org.	Part Number	Vcc	Speed(ns)	Pkg(Pins)
    32Mb	2Mx16	IS64WV204816BLL	2.4-3.6V	12	TSOP1(48),BGA(48)
    32Mb	2Mx16	IS61WV204816ALL/BLL	1.65-3.6V	10,12	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	2Mx8	IS64WV20488BLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
    16Mb	2Mx8	IS62WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP2(44),BGA(48)
    16Mb	2Mx8	IS61WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS64WV102416DBLL	2.4-3.6V	12	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS64WV102416BLL	2.4-3.6V	10	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS61WV102416DALL/BLL	2.4~3.6	10	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS61WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	1Mx16	IS61WV102416EDALL/BLL	2.4~3.6	10	TSOP1(48),BGA(48)
    16Mb	512Kx32	IS61WV51232ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
    8Mb	1Mx8	IS61WV10248ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    8Mb	1Mx8	IS61WV10248EDBLL	2.4-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    8Mb	512Kx16	IS64WV51216EDBLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
    8Mb	512Kx16	IS61WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    8Mb	512Kx16	IS61WV51216EDALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    8Mb	256Kx32	IS61WV25632ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
    4Mb	512Kx8	IS61C5128AL	5V	10,12	SOJ(36),TSOP2(44)
    4Mb	512Kx8	IS61C5128AS	5V	25ns	SOP(36),sTSOP1(32),TSOP2(32)
    4Mb	512Kx8	IS61WV5128ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36)
    4Mb	512Kx8	IS61WV5128EDBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(36)
    4Mb	512Kx8	IS64WV5128EDBLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(36)
    4Mb	256Kx16	IS61C25616AL	5V	10ns	SOJ(44),TSOP2(44)
    4Mb	256Kx16	IS61C25616AS	5V	25	SOJ(44),TSOP2(44)
    4Mb	256Kx16	IS64WV25616BLL/BLS	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
    4Mb	256Kx16	IS61WV25616EDBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(48)
    4Mb	256Kx16	IS61WV25616ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
    
    

          有限公司是英尚國際有限公司旗下大陸子公司,成立于2007年,是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。原廠供貨,交期保障,價格優(yōu)勢,專業(yè)服務(wù)。  
        產(chǎn)品簡介
        1. Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲器)1Mbit~8Mbit.
        2. SPI SRAM(串行靜態(tài)隨機(jī)存儲器)64Kbit~512Kbit.
        3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲器)4Mbit~64Mbit.
        4. Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器)4Mbit~64Mbit.
        5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit
        6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
        7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit
    
    


    產(chǎn)品價格:面議
    發(fā)貨地址:廣東深圳包裝說明:不限
    產(chǎn)品數(shù)量:100000.00 片產(chǎn)品規(guī)格:4Mb
    信息編號:89966743公司編號:14298905
    有限公司 蔡曉菲女士 經(jīng)理 認(rèn)證郵箱認(rèn)證認(rèn)證 認(rèn)證 13751192923
    相關(guān)產(chǎn)品:netsol,ipus,SRAM,MRAM,pSRAM,everspin
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