原來(lái)晶振的起振時(shí)間與它有關(guān)

在電路板中，無(wú)源晶體起振需要旁邊的電容電阻來(lái)起振，無(wú)源晶體的負(fù)載電容與外部的電容電阻值匹配得到才能正常起振。當(dāng)我們咨詢負(fù)載電容值大小的時(shí)候，很多采購(gòu)誤以為是電容值，其實(shí)不然。晶體外部的電容值我們稱之為匹配電容，匹配電容是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。負(fù)載電容是晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。他是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的 低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。

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