晶體在運用和貯存過程中，晶振的頻率跟著時刻的推移會發(fā)生改變，這就是晶振的老化。晶振老化的方向沒有統(tǒng)一的規(guī)則，大部分向負方向飄移。

晶振老化是由于在出產晶體的時候存在應力、污染物、殘留氣體、結構工藝缺點等問題。污染物和殘留氣體的分子會沉積在晶體片上或使晶體電極氧化，振蕩頻率越高，所用的晶體片就越薄，這種影響就越厲害。

這種影響要經(jīng)過一段較長的時刻才干逐步安穩(wěn)，并且這種安穩(wěn)跟著溫度或作業(yè)狀態(tài)的改變會有反復——使污染物在晶體表面再度會集或渙散。因而，頻率低的晶振比頻率高的晶振、 石英晶振蕩器比石英晶體諧振器、作業(yè)時刻長的晶振比作業(yè)時刻短的晶振、接連作業(yè)的晶振比斷續(xù)作業(yè)的晶振的老化率要好。當然晶振在運用過程中也要盡量防止和污染物、帶腐蝕性物品等觸摸，長時刻觸摸也會使得晶振老化現(xiàn)象加速。

晶振老化的目標首要有日老化和年老化兩種，對一般晶振來說，一般要求年老化。日老化簡單丈量，只需幾天到十幾天就能夠完結。關于年老化的丈量，由于不能接連測一年。所以現(xiàn)在遍及選用等效老化的方法：進步貯存溫度，縮短放置時刻。實驗表明，在85℃條件下，將晶振放置30天，其頻率相對改變適當或超越晶振在正常室溫下放置一年的老化量。因而國標規(guī)則，對老化判定條件是：85℃，30天。

對AT切晶體來說，在晶體運用初期，老化首要受元件內部應力開釋影響，頻率向升高方向改變，而后期受電極膜吸附的影響，，其頻率按對數(shù)聯(lián)系向下降方向改變，隨時刻添加改變量逐步下降。為減小出廠時的老化率，出產商大都對產品進行了預老化。

對老化目標，一般都規(guī)則產品的老化水平，而它并非清晰的實驗條件，這種“水平”，是經(jīng)過出產有方案的抽檢而取得的。可能某些單個晶體元件比規(guī)則水平會差，這是答應的。 　　

現(xiàn)在電阻焊密封的石英晶體元件的老化率水平能夠操控±5×10-6以下，關于一般精度產品（頻差大于±30×10-6）的應用來說，老化目標對元件作業(yè)影響并不是很重要，關于小公役（±0×10-6）以下）的晶體元器件來說老化是需求重視的目標。

深圳市飛科電子有限公司:

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